Materials and Devices for End-of-Roadmap and Beyond CMOS Scaling: Volume 1252

Langue : anglais

Edité par Cambridge University Press, GB, 2014

1107407982 / 9781107407985

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This proceedings volume contains papers presented at Symposium I, 'Materials for End-of-Roadmap Scaling of CMOS Devices', and Symposium J, 'Materials and Devices for Beyond CMOS Scaling', held April 5-9 at the 2010 MRS Spring Meeting in San Francisco, California. These symposia attracted 106 presentations, of which twenty-two were invited. Historically, scaling in Si CMOS was primarily led by lithography. In the last decade, this situation has been completely revolutionized with the introduction of the likes of copper interconnects, high-k gate dielectrics, metal gates, and strained silicon to meet the demands of the International Technology Roadmap for Semiconductors as the technology generations were reduced beyond 45 nm. As we look towards the end of the roadmap and beyond, the proliferation of potential solutions to meet the necessary performance challenges becomes truly staggering, and has motivated an exponential increase in research in a wide range of emerging materials and devices architectures.…

N° de réf. du vendeur LU-9781107407985

Titre
Materials and Devices for End-of-Roadmap and Beyond CMOS Scaling: Volume 1252
Auteur
Shriram Ramanathan
Éditeur
Cambridge University Press, GB
Année de publication
2014
État de l'article
New
Reliure
Paperback
Langue
anglais
ISBN à 10 chiffres
1107407982
ISBN à 13 chiffres
9781107407985
Poids de l'article
220 grammes

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