Microwave High Power High Efficiency GaN Amplifiers for Communication

Langue : anglais

Edité par Springer, Springer Dez 2023, 2023

9811962685 / 9789811962684

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This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -The textbook discusses design and analysis of microwave high power and high efficiency amplifiers for communications, appropriate for undergraduate, post-graduate students, practical circuit designers and researchers in the field of electronics and communication engineering. This book covers basics of III-V group semiconductor materials and GaAs and GaN based High Electron Mobility Transistors (HEMTs) most suitable for microwave and mm wave power amplifiers required for present wireless communication systems and upcoming 4G and 5G mobile base stations. The book describes design and analysis of classical class of amplifier operations such as Class-A, B, AB, C and F. The coverage extends to advanced classes of amplifier operation such as extended continuous Class-B/Class-J, and extended continuous Class-F operations for broadband, high power and high efficiency performance. Analytical expressions are derived for circuit elements and performance parameters for clear understanding and required for practical design of power amplifiers. Each topic is supplemented with suitable schematic diagrams, analytical expressions and plotted results for clear understanding.Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 Wien 276 pp. Englisch.…

N° de réf. du vendeur 9789811962684

Titre
Microwave High Power High Efficiency GaN Amplifiers for Communication
Auteur
Subhash Chandra Bera
Éditeur
Springer, Springer Dez 2023
Année de publication
2023
État de l'article
Neu
Reliure
Taschenbuch
Langue
anglais
ISBN à 10 chiffres
9811962685
ISBN à 13 chiffres
9789811962684
Poids de l'article
473 grammes
Dimensions
235x155x15 mm

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Emtmannsberg, BAYE, Allemagne

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