Modelling of basic parameters for non-conventional MOSFETs

Langue : anglais

Edité par LAP LAMBERT Academic Publishing Jul 2023, 2023

6206739813 / 9786206739814

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -In this book, the channel engineering and the gate engineering techniques are combined to form novel device structures proposed as Single-halo Dual Material Gate(SHDMG) and Double-halo Dual Material gate(DHDMG) MOSFETs. Advanced MOSFETs are non-uniformly doped as a result of complex process flow. Therefore, one of the key factors to model the characteristic parameters accurately is to model its non uniform doping profile. The book also presents an analytical sub threshold surface potential, threshold voltage, drift-diffusion theory based drain current and transconductance model for linear and Gaussian profile based SHDMG and DHDMG n-MOSFETs operating up to 40nm regime. A quasi-Fermi potential based analytical sub threshold drain current model for linear as well as Gaussian profile based SHDMG and DHDMG MOS transistor, incorporating the fringing fields at the two ends of the device is also proposed. 64 pp. Englisch.

N° de réf. du vendeur 9786206739814

Titre
Modelling of basic parameters for non-conventional MOSFETs
Auteur
Swapnadip De
Éditeur
LAP LAMBERT Academic Publishing Jul 2023
Année de publication
2023
État de l'article
Neu
Reliure
Taschenbuch
Langue
anglais
ISBN à 10 chiffres
6206739813
ISBN à 13 chiffres
9786206739814
Poids de l'article
113 grammes
Dimensions
220x150x4 mm

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