New Developments in Semiconductor Physics

Langue : anglais

Edité par Springer, Springer Mai 1980, 1980

3540099883 / 9783540099888

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Low temperature photo- and magneto-transport involving impurity-phonon resonances in semiconductors.- Optically detected magnetic resonance studies of semiconductors.- Deep level spectroscopy in semicounductors by optical excitation.- Depleted layer spectroscopy.- Luminescence of chromium in gallium arsenide.- Analysis of defect states by transient capacitance methods in proton bombarded gallium arsenide at 300 K and 77 K.- Properties of an extended defect in GaAs.62P.38.- Large defect-lattice relaxation phenomena in solids.- Temperature dependent decay of a metastable state of systems with large impurity-lattice relaxation (CdF2 : In).- Electron-phonon interaction: Polaron transport.- Stress dependence of quantum limit hall effect and transverse magnetoresistance in n-InSb.- Photoluminescence in amorphous semiconductors.- Man-made semiconductor superlattices.- The localized states of interfaces and their physical models.- Cyclic cluster model (CCM) in the CNDO approximation for deep levels in covalent solids.- Is there a minimum linewidth in integrated circuits . 292 pp. Englisch.

N° de réf. du vendeur 9783540099888

Détails bibliographiques

Titre
New Developments in Semiconductor Physics
Auteur
F. Beleznay
Éditeur
Springer, Springer Mai 1980
Année de publication
1980
État de l'article
Neu
Reliure
Taschenbuch
Langue
anglais
ISBN à 10 chiffres
3540099883
ISBN à 13 chiffres
9783540099888
Poids de l'article
508 grammes
Dimensions
244x170x16 mm

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