Physique À L Échelle Atomique Des Couches Minces

Collectif

ISBN 10: 613154753X / ISBN 13: 9786131547539

Edité par KS Omniscriptum Publishing Feb 2018, 2018

A propos de cet article

Neuware - Ce travail porte sur l'optimisation des couches ultra minces pour micro & nanotechnologies par un outil de simulation Monte Carlo cinétique. Les limites et les faiblesses de la modélisation continue ont été mis en évidence d'où la nécessité de la simulation à l'échelle atomique pour comprendre la formation des ces couches aux premiers instants de leurs croissances. Différents mécanismes ont été introduits pour simuler les configurations choisies afin d'effectuer cette étude dans un système à un grand nombre d'atomes.La validation de notre simulation s'est effectuée sur la base des données expérimentales obtenues à l'aide des techniques RHEED, XPS et STM.Le couplage de notre simulateur aux logiciels de visualisation graphique a montré que l'ajustement des paramètres physico-chimiques telles que le coefficient de transfert de charges en O, la température d'oxydation et la pression du flux incident O2, conditionnent les résultats obtenus: composition chimique des oxydes à l'interface SiO2/Si,structure cristalline de l'oxyde natif sur le silicium,la rugosité,la distribution des défauts en surface et les contraintes à l'interface SiO2/Si.

N° de réf. du vendeur 9786131547539

Détails bibliographiques

• Titre: Physique À L Échelle Atomique Des Couches Minces
• Éditeur: KS Omniscriptum Publishing Feb 2018
• Date de parution: 2018
• Langue: français
• ISBN à 10 chiffres: 613154753X
• ISBN à 13 chiffres: 9786131547539
• Reliure: Taschenbuch
• État de l'article: Neu
• Dimensions: 220 L x 150 H x 12 P (en millimètres) 220 millimètres de largeur par 150 millimètres de hauteur par 12 millimètres de profondeur
• Poids: 310 grammes

A propos de ce titre

Synopsis

Ce travail porte sur l’optimisation des couches ultra minces pour micro & nanotechnologies par un outil de simulation Monte Carlo cinétique. Les limites et les faiblesses de la modélisation continue ont été mis en évidence d’où la nécessité de la simulation à l’échelle atomique pour comprendre la formation des ces couches aux premiers instants de leurs croissances. Différents mécanismes ont été introduits pour simuler les configurations choisies afin d'effectuer cette étude dans un système à un grand nombre d’atomes.La validation de notre simulation s’est effectuée sur la base des données expérimentales obtenues à l’aide des techniques RHEED, XPS et STM.Le couplage de notre simulateur aux logiciels de visualisation graphique a montré que l’ajustement des paramètres physico-chimiques telles que le coefficient de transfert de charges en O, la température d’oxydation et la pression du flux incident O2, conditionnent les résultats obtenus: composition chimique des oxydes à l’interface SiO2/Si,structure cristalline de l’oxyde natif sur le silicium,la rugosité,la distribution des défauts en surface et les contraintes à l’interface SiO2/Si.