Plasma Etching Processes for CMOS Devices Realization

Langue : anglais

Edité par ISTE Press - Elsevier, 2017

1785480960 / 9781785480966

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Plasma etching has long enabled the perpetuation of Moore's Law. Today, etch compensation helps to create devices that are smaller than 20 nm. But, with the constant downscaling in device dimensions and the emergence of complex 3D structures (like FinFet, Nanowire and stacked nanowire at longer term) and sub 20 nm devices, plasma etching requirements have become more and more stringent.Now more than ever, plasma etch technology is used to push the limits of semiconductor device fabrication into the nanoelectronics age. This will require improvement in plasma technology (plasma sources, chamber design, etc.), new chemistries (etch gases, flows, interactions with substrates, etc.) as well as a compatibility with new patterning techniques such as multiple patterning, EUV lithography, Direct Self Assembly, ebeam lithography or nanoimprint lithography.This book presents these etch challenges and associated solutions encountered throughout the years for transistor realization. Englisch.…

N° de réf. du vendeur 9781785480966

Titre
Plasma Etching Processes for CMOS Devices Realization
Auteur
Nicolas Posseme
Éditeur
ISTE Press - Elsevier
Année de publication
2017
État de l'article
Neu
Reliure
Buch
Langue
anglais
ISBN à 10 chiffres
1785480960
ISBN à 13 chiffres
9781785480966
Poids de l'article
330 grammes
Dimensions
229x152x10 mm

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