Progress in SOI Structures and Devices Operating at Extreme Conditions

Langue : anglais

Edité par Springer Netherlands, Springer Netherlands Apr 2002, 2002

1402005768 / 9781402005763

Série : Livre 225 sur 241 - NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -A review of the electrical properties, performance and physical mechanisms of the main silicon-on-insulator (SOI) materials and devices. Particular attention is paid to the reliability of SOI structures operating in harsh conditions. The first part of the book deals with material technology and describes the SIMOX and ELTRAN technologies, the smart-cut technique, SiCOI structures and MBE growth. The second part covers reliability of devices operating under extreme conditions, with an examination of low and high temperature operation of deep submicron MOSFETs and novel SOI technologies and circuits, SOI in harsh environments and the properties of the buried oxide. The third part deals with the characterization of advanced SOI materials and devices, covering laser-recrystallized SOI layers, ultrashort SOI MOSFETs and nanostructures, gated diodes and SOI devices produced by a variety of techniques. The last part reviews future prospects for SOI structures, analyzing wafer bonding techniques, applications of oxidized porous silicon, semi-insulating silicon materials, self-organization of silicon dots and wires on SOI and some new physical phenomena. 364 pp. Englisch.

N° de réf. du vendeur 9781402005763

Titre
Progress in SOI Structures and Devices Operating at Extreme Conditions
Auteur
Francis Balestra
Éditeur
Springer Netherlands, Springer Netherlands Apr 2002
Année de publication
2002
État de l'article
Neu
Reliure
Taschenbuch
Langue
anglais
ISBN à 10 chiffres
1402005768
ISBN à 13 chiffres
9781402005763
Poids de l'article
581 grammes
Dimensions
240x160x20 mm
Série
Livre 225 sur 241: NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry

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