Radiation Effects of Advanced Electronic Devices and Circuits : 2nd Edition

Langue : anglais

Edité par MDPI AG, 2025

3725848335 / 9783725848331

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nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Responding to the critical demands for radiation-hardened space electronics, this Reprint synthesizes cutting-edge advances in radiation effects research across advanced semiconductor technologies. It addresses dual industry challenges posed by escalating radiation susceptibility from device scaling and the urgent need for new evaluation paradigms in radiation hardness assurance for complex electronic systems. The Reprint features pioneering research on CNN accelerators for aerospace computing, gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs), high-barrier beta-gallium oxide (ß-GäO¿) Schottky Barrier Diodes (SBDs), silicon MOSFETs, and indium phosphide Heterojunction Bipolar Transistors (InP HBTs), collectively advancing radiation hardening methodologies and reliability assessment. By presenting novel hardening strategies with breakthrough radiation mitigation solutions, it delivers essential insights for navigating evolving challenges while positioning itself as a vital resource for advancing radiation tolerance electronics innovation.…

N° de réf. du vendeur 9783725848331

Titre
Radiation Effects of Advanced Electronic Devices and Circuits : 2nd Edition
Éditeur
MDPI AG
Année de publication
2025
État de l'article
Neu
Reliure
Buch
Langue
anglais
ISBN à 10 chiffres
3725848335
ISBN à 13 chiffres
9783725848331
Poids de l'article
665 grammes
Dimensions
250x175x17 mm

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