SiC Power Module Design

Langue : anglais

Edité par Institution of Engineering and Technology, GB, 2022

1785619071 / 9781785619076

Série : Livre 64 sur 65 - Energy Engineering

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High-frequency switching power semiconductor devices are at the heart of power electronic converters. To date, these devices have been dominated by the well-established silicon (Si) technology. However, their intrinsic physical limits are becoming a barrier to achieving higher performance power conversion. Wide Bandgap (WBG) semiconductor devices offer the potential for higher efficiency, smaller size, lighter weight, and/or longer lifetime. Applications in power grid electronics as well as in electromobility are on the rise, but a number of technological bottle-necks need to be overcome if applications are to become more widespread - particularly packaging. This book describes the development of advanced multi-chip packaging solutions for novel WBG semiconductors, specifically silicon carbide (SiC) power MOSFETs. Coverage includes an introduction; multi-chip power modules; module design and transfer to SiC technology; electrothermal, thermo-mechanical, statistical and electromagnetic aspects of optimum module design; high temperature capable SiC power modules; validation technologies; degradation monitoring; and emerging packaging technologies. The book is a valuable reference for researchers and experts in academia and industry.

N° de réf. du vendeur LU-9781785619076

Titre
SiC Power Module Design
Auteur
Castellazzi, Alberto
Éditeur
Institution of Engineering and Technology, GB
Année de publication
2022
État de l'article
New
Reliure
Hardback
Langue
anglais
ISBN à 10 chiffres
1785619071
ISBN à 13 chiffres
9781785619076
Série
Livre 64 sur 65: Energy Engineering

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