Swift Heavy Ion induced effects in III-V compound semiconductors

Langue : anglais

Edité par LAP LAMBERT Academic Publishing Mrz 2016, 2016

3659854778 / 9783659854774

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This book deals with ion beam modifications and characterization of low dimensional semiconductors. For ion beams at velocities comparable to target electrons, the interaction is inelastic and induces competing processes leading to electronic and lattice defects. Effects are such that interfaces of multi quantum well structures change with ion beam conditions. The defect migration and annihilation induced by ion beam bombardment, as a function of electronic energy loss and fluence have been discussed. The initially strained and relaxed materials are further strained leading to band gap modification which is otherwise impossible to achieve. We have discussed the disorder activated modes and measured compressive strain as a function of electronic energy loss using Raman spectroscopy. Yellow and blue luminescence from Ga and N related defects in GaN have also been discussed. The band gap modification upon irradiation and subsequent rapid thermal annealing in GaAs related compound semiconductors is reported and discussed. 156 pp. Englisch.

N° de réf. du vendeur 9783659854774

Titre
Swift Heavy Ion induced effects in III-V compound semiconductors
Auteur
Devaraju Gurram
Éditeur
LAP LAMBERT Academic Publishing Mrz 2016
Année de publication
2016
État de l'article
Neu
Reliure
Taschenbuch
Langue
anglais
ISBN à 10 chiffres
3659854778
ISBN à 13 chiffres
9783659854774
Poids de l'article
250 grammes
Dimensions
220x150x10 mm

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