Technology CAD - Computer Simulation of IC Processes and Devices

Dutton, Robert W.; Zhiping Yu

ISBN 10: 1461364086 ISBN 13: 9781461364085
Edité par Springer, 2012
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129 3.6 Exercises 130 3.7 References. 131 4 PN Junctions 131 4.1 Introduction. 132 4.2 Carrier Densities: Equilibrium Case 4.3 Non-Equilibrium .......... . 139 4.4 Carrier Transport and Conservation 144 4.5 The pn Junction - Equilibrium Conditions. 147 155 4.6 The pn Junction - Non-equilibrium. 4.7 SEDAN Analysis . . . . . . . . . . . . . 166 4.7.1 Heavy Doping Effects ..... . 176 4.7.2 Analysis of High-Level Injection 181 190 4.7.3 Technology-Dependent Device Effects 4.8 Summary 193 4.9 Exercises 193 194 4.10 References. 5 MOS Structures 197 5.1 Introduction ............. . 197 5.2 The MOS Capacitor ........ . 198 5.3 Basic MOSFET I-V Characteristics. 208 5.4 Threshold Voltage in Nonuniform Substrate 217 5.5 MOS Device Design by Simulation . . . . . 224 5.5.1 Body-bias Sensitivity of Threshold Voltage 225 5.5.2 Two-region Model . . . . . . . . 231 5.5.3 MOSFET Design by Simulation. 234 5.6 Summary 240 5.7 Exercises 240 5.8 References. 242 6 Bipolar Transistors 243 6.1 Introduction ... 243 6.2 Lateral pnp Transistor Operation 245 6.3 Transport Current Analysis ... 252 6.4 Generalized Charge Storage Model 260 6.,1) Transistor Equivalent Circuits. 267 6.5.1 Charge Control Model ...

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Détails bibliographiques

Titre : Technology CAD - Computer Simulation of IC ...
Éditeur : Springer
Date d'édition : 2012
Reliure : Couverture souple
Etat : New

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Zhiping Yu
Edité par Springer US Okt 2012, 2012
ISBN 10 : 1461364086 ISBN 13 : 9781461364085
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Taschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -129 3.6 Exercises 130 3.7 References. 131 4 PN Junctions 131 4.1 Introduction. 132 4.2 Carrier Densities: Equilibrium Case 4.3 Non-Equilibrium . . 139 4.4 Carrier Transport and Conservation 144 4.5 The pn Junction - Equilibrium Conditions. 147 155 4.6 The pn Junction - Non-equilibrium. 4.7 SEDAN Analysis . . . . . . . . . . . . . 166 4.7.1 Heavy Doping Effects . . 176 4.7.2 Analysis of High-Level Injection 181 190 4.7.3 Technology-Dependent Device Effects 4.8 Summary 193 4.9 Exercises 193 194 4.10 References. 5 MOS Structures 197 5.1 Introduction . . 197 5.2 The MOS Capacitor . . 198 5.3 Basic MOSFET I-V Characteristics. 208 5.4 Threshold Voltage in Nonuniform Substrate 217 5.5 MOS Device Design by Simulation . . . . . 224 5.5.1 Body-bias Sensitivity of Threshold Voltage 225 5.5.2 Two-region Model . . . . . . . . 231 5.5.3 MOSFET Design by Simulation. 234 5.6 Summary 240 5.7 Exercises 240 5.8 References. 242 6 Bipolar Transistors 243 6.1 Introduction . 243 6.2 Lateral pnp Transistor Operation 245 6.3 Transport Current Analysis . 252 6.4 Generalized Charge Storage Model 260 6.,1) Transistor Equivalent Circuits. 267 6.5.1 Charge Control Model . 396 pp. Englisch. N° de réf. du vendeur 9781461364085

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Robert W. Dutton|Zhiping Yu
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ISBN 10 : 1461364086 ISBN 13 : 9781461364085
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Etat : New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. 129 3.6 Exercises 130 3.7 References. 131 4 PN Junctions 131 4.1 Introduction. 132 4.2 Carrier Densities: Equilibrium Case 4.3 Non-Equilibrium . . 139 4.4 Carrier Transport and Conservation 144 4.5 The pn Junction - Equilibrium Conditions. 147 155 . N° de réf. du vendeur 4194594

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Robert W. Dutton (u. a.)
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Taschenbuch. Etat : Neu. Technology CAD - Computer Simulation of IC Processes and Devices | Robert W. Dutton (u. a.) | Taschenbuch | xvii | Englisch | 2012 | Springer | EAN 9781461364085 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu Print on Demand. N° de réf. du vendeur 105720991

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Dutton, Robert W. W.; Zhiping Yu
Edité par Springer, 2012
ISBN 10 : 1461364086 ISBN 13 : 9781461364085
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Taschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -129 3.6 Exercises 130 3.7 References. 131 4 PN Junctions 131 4.1 Introduction. 132 4.2 Carrier Densities: Equilibrium Case 4.3 Non-Equilibrium . . 139 4.4 Carrier Transport and Conservation 144 4.5 The pn Junction - Equilibrium Conditions. 147 155 4.6 The pn Junction - Non-equilibrium. 4.7 SEDAN Analysis . . . . . . . . . . . . . 166 4.7.1 Heavy Doping Effects . . 176 4.7.2 Analysis of High-Level Injection 181 190 4.7.3 Technology-Dependent Device Effects 4.8 Summary 193 4.9 Exercises 193 194 4.10 References. 5 MOS Structures 197 5.1 Introduction . . 197 5.2 The MOS Capacitor . . 198 5.3 Basic MOSFET I-V Characteristics. 208 5.4 Threshold Voltage in Nonuniform Substrate 217 5.5 MOS Device Design by Simulation . . . . . 224 5.5.1 Body-bias Sensitivity of Threshold Voltage 225 5.5.2 Two-region Model . . . . . . . . 231 5.5.3 MOSFET Design by Simulation. 234 5.6 Summary 240 5.7 Exercises 240 5.8 References. 242 6 Bipolar Transistors 243 6.1 Introduction . 243 6.2 Lateral pnp Transistor Operation 245 6.3 Transport Current Analysis . 252 6.4 Generalized Charge Storage Model 260 6.,1) Transistor Equivalent Circuits. 267 6.5.1 Charge Control Model .Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg 396 pp. Englisch. N° de réf. du vendeur 9781461364085

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ISBN 10 : 1461364086 ISBN 13 : 9781461364085
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Edité par Springer US, 2012
ISBN 10 : 1461364086 ISBN 13 : 9781461364085
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Taschenbuch. Etat : Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - 129 3.6 Exercises 130 3.7 References. 131 4 PN Junctions 131 4.1 Introduction. 132 4.2 Carrier Densities: Equilibrium Case 4.3 Non-Equilibrium . . 139 4.4 Carrier Transport and Conservation 144 4.5 The pn Junction - Equilibrium Conditions. 147 155 4.6 The pn Junction - Non-equilibrium. 4.7 SEDAN Analysis . . . . . . . . . . . . . 166 4.7.1 Heavy Doping Effects . . 176 4.7.2 Analysis of High-Level Injection 181 190 4.7.3 Technology-Dependent Device Effects 4.8 Summary 193 4.9 Exercises 193 194 4.10 References. 5 MOS Structures 197 5.1 Introduction . . 197 5.2 The MOS Capacitor . . 198 5.3 Basic MOSFET I-V Characteristics. 208 5.4 Threshold Voltage in Nonuniform Substrate 217 5.5 MOS Device Design by Simulation . . . . . 224 5.5.1 Body-bias Sensitivity of Threshold Voltage 225 5.5.2 Two-region Model . . . . . . . . 231 5.5.3 MOSFET Design by Simulation. 234 5.6 Summary 240 5.7 Exercises 240 5.8 References. 242 6 Bipolar Transistors 243 6.1 Introduction . 243 6.2 Lateral pnp Transistor Operation 245 6.3 Transport Current Analysis . 252 6.4 Generalized Charge Storage Model 260 6.,1) Transistor Equivalent Circuits. 267 6.5.1 Charge Control Model . N° de réf. du vendeur 9781461364085

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Paperback. Etat : new. Paperback. 129 3.6 Exercises 130 3.7 References. 131 4 PN Junctions 131 4.1 Introduction. 132 4.2 Carrier Densities: Equilibrium Case 4.3 Non-Equilibrium . . 139 4.4 Carrier Transport and Conservation 144 4.5 The pn Junction - Equilibrium Conditions. 147 155 4.6 The pn Junction - Non-equilibrium. 4.7 SEDAN Analysis . . . . . . . . . . . . . 166 4.7.1 Heavy Doping Effects . . 176 4.7.2 Analysis of High-Level Injection 181 190 4.7.3 Technology-Dependent Device Effects 4.8 Summary 193 4.9 Exercises 193 194 4.10 References. 5 MOS Structures 197 5.1 Introduction . . 197 5.2 The MOS Capacitor . . 198 5.3 Basic MOSFET I-V Characteristics. 208 5.4 Threshold Voltage in Nonuniform Substrate 217 5.5 MOS Device Design by Simulation . . . . . 224 5.5.1 Body-bias Sensitivity of Threshold Voltage 225 5.5.2 Two-region Model . . . . . . . . 231 5.5.3 MOSFET Design by Simulation. 234 5.6 Summary 240 5.7 Exercises 240 5.8 References. 242 6 Bipolar Transistors 243 6.1 Introduction . 243 6.2 Lateral pnp Transistor Operation 245 6.3 Transport Current Analysis . 252 6.4 Generalized Charge Storage Model 260 6.,1) Transistor Equivalent Circuits. 267 6.5.1 Charge Control Model . 208 5.4 Threshold Voltage in Nonuniform Substrate 217 5.5 MOS Device Design by Simulation . 224 5.5.1 Body-bias Sensitivity of Threshold Voltage 225 5.5.2 Two-region Model . 242 6 Bipolar Transistors 243 6.1 Introduction . 243 6.2 Lateral pnp Transistor Operation 245 6.3 Transport Current Analysis . Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability. N° de réf. du vendeur 9781461364085

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Dutton Robert W.
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