Technology CAD - Computer Simulation of IC Processes and Devices

Langue : anglais

Edité par Springer, Springer Okt 2012, 2012

1461364086 / 9781461364085

Série : Livre 175 sur 260 - The Springer International Series in Engineering and Computer Science

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This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -129 3.6 Exercises 130 3.7 References. 131 4 PN Junctions 131 4.1 Introduction. 132 4.2 Carrier Densities: Equilibrium Case 4.3 Non-Equilibrium . . 139 4.4 Carrier Transport and Conservation 144 4.5 The pn Junction - Equilibrium Conditions. 147 155 4.6 The pn Junction - Non-equilibrium. 4.7 SEDAN Analysis . . . . . . . . . . . . . 166 4.7.1 Heavy Doping Effects . . 176 4.7.2 Analysis of High-Level Injection 181 190 4.7.3 Technology-Dependent Device Effects 4.8 Summary 193 4.9 Exercises 193 194 4.10 References. 5 MOS Structures 197 5.1 Introduction . . 197 5.2 The MOS Capacitor . . 198 5.3 Basic MOSFET I-V Characteristics. 208 5.4 Threshold Voltage in Nonuniform Substrate 217 5.5 MOS Device Design by Simulation . . . . . 224 5.5.1 Body-bias Sensitivity of Threshold Voltage 225 5.5.2 Two-region Model . . . . . . . . 231 5.5.3 MOSFET Design by Simulation. 234 5.6 Summary 240 5.7 Exercises 240 5.8 References. 242 6 Bipolar Transistors 243 6.1 Introduction . 243 6.2 Lateral pnp Transistor Operation 245 6.3 Transport Current Analysis . 252 6.4 Generalized Charge Storage Model 260 6.,1) Transistor Equivalent Circuits. 267 6.5.1 Charge Control Model .Libri GmbH, Europaallee 1, 36244 Bad Hersfeld 396 pp. Englisch.…

N° de réf. du vendeur 9781461364085

Titre
Technology CAD - Computer Simulation of IC Processes and Devices
Auteur
Robert W. Dutton
Éditeur
Springer, Springer Okt 2012
Année de publication
2012
État de l'article
Neu
Reliure
Taschenbuch
Langue
anglais
ISBN à 10 chiffres
1461364086
ISBN à 13 chiffres
9781461364085
Poids de l'article
598 grammes
Dimensions
235x155x22 mm
Série
Livre 175 sur 260: The Springer International Series in Engineering and Computer Science

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