Temperverhalten von Elektronen- und Löcherfangstellen in SiO2-Schichten von MOS-Strukturen. Dissertation.

Edité par Aachen, 1983

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119 S. : graph. Darst. ; 21 cm, Lichtrand. Sprache: deu.

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Détails bibliographiques

Titre
Temperverhalten von Elektronen- und Löcherfangstellen in SiO2-Schichten von MOS-Strukturen. Dissertation.
Auteur
Aslam, Mohammad
Éditeur
Aachen
Année de publication
1983
État de l'article
gut
Reliure
Broschur
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Physik

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