Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 2

Langue : anglais

Edité par ISTE Ltd and John Wiley and Sons Inc, GB, 2014

1848216874 / 9781848216877

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This book, the second of two volumes, describes heterostructures and optoelectronic devices made from GaN and ZnO nanowires. Over the last decade, the number of publications on GaN and ZnO nanowires has grown exponentially, in particular for their potential optical applications in LEDs, lasers, UV detectors or solar cells. So far, such applications are still in their infancy, which we analyze as being mostly due to a lack of understanding and control of the growth of nanowires and related heterostructures. Furthermore, dealing with two different but related semiconductors such as ZnO and GaN, but also with different chemical and physical synthesis methods, will bring valuable comparisons in order to gain a general approach for the growth of wide band gap nanowires applied to optical devices.

N° de réf. du vendeur LU-9781848216877

Titre
Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 2
Auteur
Vincent Consonni
Éditeur
ISTE Ltd and John Wiley and Sons Inc, GB
Année de publication
2014
État de l'article
New
Reliure
Hardback
Langue
anglais
ISBN à 10 chiffres
1848216874
ISBN à 13 chiffres
9781848216877
Poids de l'article
558 grammes

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