she pin ci kong jian du cheng chang yang hua mei bo mo ji qi ying yong yu zha ji jie dian ceng te xing yan jiu

Hou Yan Cao

ISBN 10: 3639739396 / ISBN 13: 9783639739398

Edité par ¿¿¿¿¿¿¿ Jul 2015, 2015

A propos de cet article

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N° de réf. du vendeur 9783639739398

Détails bibliographiques

• Titre: she pin ci kong jian du cheng chang yang hua mei bo mo ji qi ying yong yu zha ji jie dian ceng te xing yan jiu
• Éditeur: ¿¿¿¿¿¿¿ Jul 2015
• Date de parution: 2015
• ISBN à 10 chiffres: 3639739396
• ISBN à 13 chiffres: 9783639739398
• Reliure: Taschenbuch
• État de l'article: Neu
• Dimensions: 220 L x 150 H x 8 P (en millimètres) 220 millimètres de largeur par 150 millimètres de hauteur par 8 millimètres de profondeur
• Poids: 203 grammes

A propos de ce titre

Synopsis

本研究利用射頻磁控濺鍍法成長氧化鎂(MgO)薄膜於矽(Si)基板上。並由X 光光電子能譜儀(X-ray photoelectron spectroscopy)、掃描式電子顯微鏡(Scanning electron microscope)、二次離子質譜儀(Secondary ion mass spectrometer)和橢圓儀(Ellipsometer)等儀器對MgO薄膜進行結構及光學特性量測，而半導體特性分析儀則對以MgO當作閘極氧化層的不同功函數閘極電極與不同摻雜濃度Si基板之金屬-氧化物-半導體(Metal-oxide-semiconductor，簡稱MOS)元件進行電特性的量測。由實驗結果可知，在光學特性方面，MgO薄膜與Si基板之間存在界面缺陷層。在電特性方面，利用MOS元件的變溫電流-電壓(Current-voltage)特性曲線，研究載子傳輸的相關機制，藉此來探討MgO薄膜內部的載子捕捉/釋放與相關缺陷能階的位置。再由變頻的電容-電壓(Capacitance-voltage)特性曲線量測MgO薄膜的相對介電常數，最後與載子傳輸機制所計算的結果互相比較。