Synopsis
An extrapolation of ULSI scaling trends indicates that minimum feature sizes below 0.1 mu and gate thicknesses of Audience: Both expert scientists and engineers who wish to keep up with cutting edge research, and new students who wish to learn more about the exciting basic research issues relevant to next-generation device technology.
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Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices (NATO Science Partnership Subseries: 3, 47)
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Taschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -An extrapolation of ULSI scaling trends indicates that minimum feature sizes below 0.1 mu and gate thicknesses of Audience: Both expert scientists and engineers who wish to keep up with cutting edge research, and new students who wish to learn more about the exciting basic research issues relevant to next-generation device technology. 520 pp. Englisch. N° de réf. du vendeur 9780792350088
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Etat : New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-Based Devices: Towards an Atomic Scale Understanding, St. Petersburg, Russia, August 4-8, 1997 An extrapolation of ULSI scaling trends indicates . N° de réf. du vendeur 5968426
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Taschenbuch. Etat : Neu. Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices | Eric Garfunkel (u. a.) | Taschenbuch | Einband - flex.(Paperback) | Englisch | 1998 | Springer | EAN 9780792350088 | Verantwortliche Person für die EU: Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 WIEN, ÖSTERREICH, productsafety[at]springernature[dot]com | Anbieter: preigu. N° de réf. du vendeur 102550496
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