Analysis and Optimization of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors for Microwave Applications

Langue : anglais

Edité par Cuvillier Aug 2011, 2011

386955844X / 9783869558448

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -This thesis deals with the analysis and optimization of some of the most prominent non-ideal effects in AlGaN/GaN high electron mobility transistors used in microwave applications as well as the optimization of the RF gain. The effect of current collapse, the root cause of leakage currents as well as field-dependent self-heating effects have been investigated by eletrical characterization using well established techniques and have been analyzed using 2-dimensional physical device simulations. It will be shown that the origin of all effects is strongly related to the device surface and some are even competing effects making device optimization a challenge. However, a detailed localization of the regions affecting device performance will be given leading to a better understanding for fabrication process optimization. Finally, I simulation study is conducted giving suggestions for RF gain improvement based on very simple device layout variations. 130 pp. Englisch.

N° de réf. du vendeur 9783869558448

Détails bibliographiques

Titre
Analysis and Optimization of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors for Microwave Applications
Auteur
Michael Hosch
Éditeur
Cuvillier Aug 2011
Année de publication
2011
État de l'article
Neu
Reliure
Taschenbuch
Langue
anglais
ISBN à 10 chiffres
386955844X
ISBN à 13 chiffres
9783869558448
Poids de l'article
179 grammes
Dimensions
210x148x7 mm

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