Copper Interconnect Technology
Langue : anglais
Edité par Springer New York, Copernicus Aug 2009, 2009
- Livre relié
- Neuf
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This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Since overall circuit performance has depended primarily on transistor properties, previous efforts to enhance circuit and system speed were focused on transistors as well. During the last decade, however, the parasitic resistance, capacitance, and inductance associated with interconnections began to influence circuit performance and will be the primary factors in the evolution of nanoscale ULSI technology. Because metallic conductivity and resistance to electromigration of bulk copper (Cu) are better than aluminum, use of copper and low-k materials is now prevalent in the international microelectronics industry. As the feature size of the Cu-lines forming interconnects is scaled, resistivity of the lines increases. At the same time electromigration and stress-induced voids due to increased current density become significant reliability issues. Although copper/low-k technology has become fairly mature, there is no single book available on the promise and challenges of these next-generation technologies. In this book, a leader in the field describes advanced laser systems with lower radiation wavelengths, photolithography materials, and mathematical modeling approaches to address the challenges of Cu-interconnect technology.Springer-Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg 444 pp. Englisch.…
N° de réf. du vendeur 9781441900753
- Titre
- Copper Interconnect Technology
- Auteur
- Tapan Gupta
- Éditeur
- Springer New York, Copernicus Aug 2009
- Année de publication
- 2009
- État de l'article
- Neu
- Reliure
- Buch
- Langue
- anglais
- ISBN à 10 chiffres
- 1441900756
- ISBN à 13 chiffres
- 9781441900753
- Poids de l'article
- 910 grammes
- Dimensions
- 241x160x32 mm
Since overall circuit performance has depended primarily on transistor properties, previous efforts to enhance circuit and system speed were focused on transistors as well. During the last decade, however, the parasitic resistance, capacitance, and inductance associated with interconnections began to influence circuit performance and will be the primary factors in the evolution of nanoscale ULSI technology. Because metallic conductivity and resistance to electromigration of bulk copper (Cu) are better than aluminum, use of copper and low-k materials is now prevalent in the international microelectronics industry. As the feature size of the Cu-lines forming interconnects is scaled, resistivity of the lines increases. At the same time electromigration and stress-induced voids due to increased current density become significant reliability issues. Although copper/low-k technology has become fairly mature, there is no single book available on the promise and challenges of these next-generation technologies. In this book, a leader in the field describes advanced laser systems with lower radiation wavelengths, photolithography materials, and mathematical modeling approaches to address the challenges of Cu-interconnect technology.
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Présentation de l'éditeur
In this book, a leader in the field describes advanced laser systems with lower radiation wavelengths, photolithography materials, and mathematical modeling approaches to address the challenges of Cu-interconnect technology.
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Die Europäische Kommission stellt eine Plattform für die außergerichtliche Online-Streitbeilegung (OS-Plattform) bereit, aufrufbar unter http://ec.europa.eu/odr.
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