Core technology of silicon carbide device process Taking silicon carbide device process as the core. the key process technologies of silicon carbide are explained in detail(Chinese Edition)

Langue : anglais

Edité par Mechanical Industry Press, 2024

7111741889 / 9787111741886

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Language:Chinese.Paperback. Pub Date: 2024-01 Pages: 428 Publisher: China Machinery Industry Press Core Technology of Silicon Carbide Device Process has 9 chapters. focusing on the silicon carbide (SiC) device process. focusing on key process technologies such as SiC material growth. surface cleaning. ohmic contact. Schottky contact. ion implantation. dry etching. electrolyte preparation. as well as high-power SiC unipolar and bipolar switching devices. SiC nanostructure manufacturing and dev.

N° de réf. du vendeur DR007605

Détails bibliographiques

Titre
Core technology of silicon carbide device process Taking silicon carbide device process as the core. the key process technologies of silicon carbide are explained in detail(Chinese Edition)
Auteur
[ XI ] KANG SI TAN DING&amp#183; ZE KEN TE SI . [ YING ] KANG SI TAN DING&amp#183; WA XI LIE FU SI JI
Éditeur
Mechanical Industry Press
Année de publication
2024
État de l'article
New
Reliure
paperback
Langue
anglais
ISBN à 10 chiffres
7111741889
ISBN à 13 chiffres
9787111741886

liu xing

Nanjing, JS, Chine

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