Defects in SiO2 and Related Dielectrics: Science and Technology

Langue : anglais

Edité par Springer Netherlands Dez 2000, 2000

0792366867 / 9780792366867

Série : Livre 4 sur 241 - NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry

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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Silicon dioxide plays a central role in most contemporary electronic and photonic technologies, from fiber optics for communications and medical applications to metal-oxide-semiconductor devices. Many of these applications directly involve point defects, which can either be introduced during the manufacturing process or by exposure to ionizing radiation. They can also be deliberately created to exploit new technologies. This book provides a general description of the influence that point defects have on the global properties of the bulk material and their spectroscopic characterization through ESR and optical spectroscopy. 636 pp. Englisch.

N° de réf. du vendeur 9780792366867

Titre
Defects in SiO2 and Related Dielectrics: Science and Technology
Auteur
Gianfranco Pacchioni
Éditeur
Springer Netherlands Dez 2000
Année de publication
2000
État de l'article
Neu
Reliure
Taschenbuch
Langue
anglais
ISBN à 10 chiffres
0792366867
ISBN à 13 chiffres
9780792366867
Poids de l'article
949 grammes
Dimensions
235x155x34 mm
Série
Livre 4 sur 241: NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry

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