Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices

Langue : anglais

Edité par Springer, Springer Mär 1998, 1998

0792350081 / 9780792350088

Série : Livre 16 sur 26 - Nato Science Partnership Subseries: 3

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This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -Ultrathin dielectrics in silicon microelectronics - an overview.- Section 1. Recent advances in experimental studies of SiO2films on Si.- Study of the Si/SiO2interface using positrons: present status and prospects.- Medium energy ion scattering studies of silicon oxidation and oxynitridation.- Synchrotron and conventional photoemission studies of oxides and N2Ooxynitrides.- Stress in the SiO2/Si structures formed by thermal oxidation.- Section 2. Theory of the SiO2/Si and SiOxNy/Si systems.- Modeling the oxide and the oxidation process: can silicon oxidation be solved .- Core-level shifts in Si(001)-SiO2systems: the value of first-principle investigations.- A simple model of the chemical nature of bonds at the Si-SiO2interface and its influence on the electronic properties of MOS devices.- Chemical perspectives on growth and properties of ultrathin SiO2layers.- A theoretical model of the Si/SiO2interface.- Section 3: Growth mechanism processing and analysis of (oxy)nitridation.- Spatially-selective incorporation of bonded-nitrogen into ultra-thin gate dielectrics by low-temperature plasma-assisted processing.- Isotopic labeling studies of oxynitridation in nitric oxide (NO) of Si and SiO2.- Thermal routes to ultrathin oxynitrides.- Nitrogen in ultra thin dielectrics.- Endurance of EEPROM-cells using ultrathin NO and NH3nitrided tunnel oxides.- Effects of the surface deposition of nitrogen on the oxidation of silicon.- Section 4: Initial oxidation and surface science issues.- Surface interface and valence band of ultra-thin silicon oxides.- Low temperature ultrathin dielectrics on silicon and silicon carbide surfaces: from the atomic scale to interface formation.- Interaction of O2and N2O with Si during the early stages of oxide formation.- Scanning tunnelingmicroscopy on oxide and oxynitride formation, growth and etching of Si surfaces.- The interaction of oxygen with Si(100) in the vicinity of the oxide nucleation treshold.- Section 5: Electrical properties and microscopic models of defects.- Tunneling transport and reliability evaluation in extremely thin gate oxides.- Electrical defects at the SiO2/Si interface studied by EPR.- Towards atomic scale understanding of defects and traps in oxide/nitride/oxide and oxynitride systems.- A new model of photoelectric phenomena in MOS structures: outline and applications.- Point defect generation during Si oxidation and oxynitridation.- Optically induced switching in bistable structures: heavily doped n+- polysilicon - tunnel oxide layer - n - silicon.- Heterojunction AI/SiO2/n-Si device as an Auger transistor.- Radiation induced behavior in MOS devices.- Section 6: Hydrogen/Deuterium issues.- Hydrogenous species and charge defects in the Si-SiO2system.- The role of hydrogen in the formation reactivity and stability of silicon (oxy)nitride films.- Hydrogen-induced donor states in the MOS-system: hole traps, slow states and interface states.- Section 7: New substrates (SiC,SiGe) and SOI technologies Future trends in SiC-based microelectronic devices.- The initial phases of SiC-SiO2interface formation by low-temperature (300°C) remote plasma-assisted oxidation of Si and C faces on flat and vicinal 6H SiC.- Challenges in the oxidation of strained SiGe layers.- The current status and future trends of SIMOX/SOI, new technological applications of the SiC/SOI system.- Local tunnel emission assisted by inclusions contained in buried oxides.- Authors index.- List of workshop participants.Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 Wien 520 pp. Englisch.

N° de réf. du vendeur 9780792350088

Titre
Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices
Auteur
Eric Garfunkel
Éditeur
Springer, Springer Mär 1998
Année de publication
1998
État de l'article
Neu
Reliure
Taschenbuch
Langue
anglais
ISBN à 10 chiffres
0792350081
ISBN à 13 chiffres
9780792350088
Poids de l'article
779 grammes
Dimensions
235x155x28 mm
Série
Livre 16 sur 26: Nato Science Partnership Subseries: 3

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