An Improved Markov Random Field Design Approach For Digital Circuits : Introducing Fault-Tolerance With Higher Noise-Immunity For The Nano-Circuits As Compared To CMOS And MRF Designs

Langue : anglais

Edité par LAP LAMBERT Academic Publishing, 2011

3844332634 / 9783844332636

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nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - As the MOSFET dimensions scale down to nanoscale level, the reliability of circuits based on these devices decreases. Therefore, a mechanism has to be devised that can make the nanoscale systems perform reliably using unreliable circuit components. The solution is fault-tolerant circuit design. Markov Random Field (MRF) is an effective approach that achieves fault-tolerance in integrated circuit design. The previous research on this technique suffers from limitations at the design, simulation and implementation levels. As improvements, the MRF fault-tolerance rules have been validated for a practical circuit example. The simulation framework is extended from thermal to a combination of thermal and random telegraph signal noise sources to provide a more rigorous noise environment for the simulation of nanoscale circuits. Moreover, an architecture-level improvement has been proposed in the design of previous MRF gates. The re-designed MRF is termed as Improved-MRF. By simulating various test circuits in Cadence, it is found that Improved-MRF circuits are 400 whereas MRF circuits are only 10 times more noise-tolerant than the CMOS alternatives.…

N° de réf. du vendeur 9783844332636

Titre
An Improved Markov Random Field Design Approach For Digital Circuits : Introducing Fault-Tolerance With Higher Noise-Immunity For The Nano-Circuits As Compared To CMOS And MRF Designs
Auteur
Vijanth Sagayan Asirvadam
Éditeur
LAP LAMBERT Academic Publishing
Année de publication
2011
État de l'article
Neu
Reliure
Taschenbuch
Langue
anglais
ISBN à 10 chiffres
3844332634
ISBN à 13 chiffres
9783844332636
Poids de l'article
149 grammes
Dimensions
220x150x6 mm

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