Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs

Langue : anglais

Edité par Cambridge University Press, GB, 2011

0521336171 / 9780521336178

Série : Livre 1 sur 20 - Cambridge RF and Microwave Engineering

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This book is a comprehensive exposition of FET modeling, and is a must-have resource for seasoned professionals and new graduates in the RF and microwave power amplifier design and modeling community. In it, you will find descriptions of characterization and measurement techniques, analysis methods, and the simulator implementation, model verification and validation procedures that are needed to produce a transistor model that can be used with confidence by the circuit designer. Written by semiconductor industry professionals with many years' device modeling experience in LDMOS and III-V technologies, this was the first book to address the modeling requirements specific to high-power RF transistors. A technology-independent approach is described, addressing thermal effects, scaling issues, nonlinear modeling, and in-package matching networks. These are illustrated using the current market-leading high-power RF technology, LDMOS, as well as with III-V power devices.

N° de réf. du vendeur LU-9780521336178

Titre
Modeling and Characterization of RF and Microwave Power FETs
Auteur
Peter Aaen, Jaime A. Plá, John Wood
Éditeur
Cambridge University Press, GB
Année de publication
2011
État de l'article
New
Reliure
Paperback
Langue
anglais
ISBN à 10 chiffres
0521336171
ISBN à 13 chiffres
9780521336178
Poids de l'article
610 grammes
Série
Livre 1 sur 20: Cambridge RF and Microwave Engineering

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