Optical Testing of Semiconductor Devices under High Energy Pulses : Advanced Optical Interferometric Methods for Nanosecond Mapping of Semiconductor Devices under High Energy Pulses

Langue : anglais

Edité par Südwestdeutscher Verlag Für Hochschulschriften AG Co. KG, 2009

3838104048 / 9783838104041

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nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - For optimisation of devices and verification of device simulation models the knowledge of heat dissipation and of free carrier concentration in the device is essential. Non-destructive optical methods based on monitoring of the refractive index, absorption or light emission have previously been developed for investigation of transient temperature or free carrier changes. However, these methods suffer either from small spatial or time resolution. Therefore two testing techniques based on transient interferometric mapping have been developed within this thesis: a two-dimensional multiple-time-instant single-shot technique and a two-beam technique with sub-nanosecond time resolution.

N° de réf. du vendeur 9783838104041

Titre
Optical Testing of Semiconductor Devices under High Energy Pulses : Advanced Optical Interferometric Methods for Nanosecond Mapping of Semiconductor Devices under High Energy Pulses
Auteur
Viktor Dubec
Éditeur
Südwestdeutscher Verlag Für Hochschulschriften AG Co. KG
Année de publication
2009
État de l'article
Neu
Reliure
Taschenbuch
Langue
anglais
ISBN à 10 chiffres
3838104048
ISBN à 13 chiffres
9783838104041
Poids de l'article
256 grammes
Dimensions
220x150x11 mm

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