Predictive Simulation of Semiconductor Processing
Langue : anglais
Edité par Springer Berlin Heidelberg, Springer Berlin Heidelberg Mai 2004, 2004
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- Neuf
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This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -Predictive Simulation of Semiconductor Processingenables researchers and developersto extend the scaling range of semiconductor devices beyond the parameter range of empirical research. It requires a thorough understanding of the basic mechanisms employed in device fabrication, such as diffusion, ion implantation, epitaxy, defect formation and annealing, and contamination. This book presents an in-depth discussion of our current understanding of key processes and identifies areas that require further work in order to achieve the goal of a comprehensive, predictive process simulation tool. 516 pp. Englisch.
N° de réf. du vendeur 9783540204817
- Titre
- Predictive Simulation of Semiconductor Processing
- Auteur
- Eicke R. Weber
- Éditeur
- Springer Berlin Heidelberg, Springer Berlin Heidelberg Mai 2004
- Année de publication
- 2004
- État de l'article
- Neu
- Reliure
- Buch
- Langue
- anglais
- ISBN à 10 chiffres
- 3540204814
- ISBN à 13 chiffres
- 9783540204817
- Poids de l'article
- 1 028 grammes
- Dimensions
- 241x160x36 mm
Predictive Simulation of Semiconductor Processing enables researchers and developers to extend the scaling range of semiconductor devices beyond the parameter range of empirical research. It requires a thorough understanding of the basic mechanisms employed in device fabrication, such as diffusion, ion implantation, epitaxy, defect formation and annealing, and contamination. This book presents an in-depth discussion of our current understanding of key processes and identifies areas that require further work in order to achieve the goal of a comprehensive, predictive process simulation tool.
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À propos de l’auteur
J. Dabrowski: Born in Warsaw, Poland, Sept. 29, 1958. PhD, Institute of Physics of the Polish Academy of Science (IF PAN), Warsaw, 1989. Scientific staff member IF PAN 1983-1992; postdoctoral fellow Fritz Haber Inbstitute of the Max Planck Society, Berlin, Germany, 1990-1991; postdoctoral fellow Xerox Palo Alto Research Center, California, 1992; since 1993 with IHP-microelectronics, Frankfurt (Oder), Germany. Conference series chairman, Challenges in Predictive Process Simulation (1997, 2000, 2002); international advisory commmittee member, International Training Institute for Materials Science, Hanoi, Vietnam. Project leader, German Research Society (1998-2000); von Neuman Institute for Computing (since 1993). Author (monograph), "Silicon surfaces and formation of interfaces; basic science in the industrial world" (World Scientific, 2000). Editor (book), ""Recent Developments in Vacuum Science and Technology" (Research Signpost, 2003). Research in atomic diffusion mechanism in solid state; atomic structure of surfaces and semiconductor/dielectric interfaces; atomic structure of defects in semiconductors and insulators; signal processing for telecommunication. Achievements include discovery of atomic structure of the clean Si(113) surface; atomic structure of the main electron trap in GaAs (EL2 defect); atomic structure of the interface between a high-K dielectric (Pr2O3) and Si(001). Patents for silicon microelectronic technology; patents pending for telecommunication.
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Informations concernant le droit de rétractation
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Le délai de rétractation expirera au bout de 14 jours à compter du jour où vous-même, ou un tiers autre que le transporteur et désigné par vous, prendrez physiquement possession de la dernière marchandise, du dernier lot ou de la dernière pièce.
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Nous effectuerons le remboursement dans les meilleurs délais, et au plus tard 14 jours après le jour où nous aurons été informés de votre décision d'exercer votre droit de rétractation sur ce contrat.
Nous effectuerons le remboursement en utilisant le même moyen de paiement que celui que vous avez utilisé pour la transaction initiale, sauf si vous en avez expressément convenu autrement ; en tout état de cause, aucuns frais ne vous seront facturés à la suite d'un tel remboursement.
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