Simulation Methodology to Compare Alternatives to Silicon Device : Ultra-thin body single-gate/double-gate,FinFET,tri- gate FDSOI MOSFET,Indium Antimonide MOSFET,Gallium Nitride MOSFET,which is future logic device?

Langue : anglais

Edité par VDM Verlag Dr. Müller, 2009

3639105605 / 9783639105605

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nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - Practical realization of low-power, high-speed transistor technologies for future generation nano-electronics can be achieved with novel structures, such as FinFET, tri-gate or with the integration of exotic channel materials,such as Gallium Nitride(GaN), into Fully-Depleted SOI(FDSOI) transistor architectures.Novel Structures are the most promising candidates for logic devices with sub-20nm gate length. They can increase gate control and suppress short channel effects. To compare the feasibility of these different structures and to project the device performance, technology CAD (TCAD) simulation is a reasonable method.The III-V semiconductors, such as Gallium Nitride (GaN), have high maximum electron drift velocities and ballistic mean free paths, which would enable high-speed transistor operation at very low voltages with gate lengths below 10nm. Since it s impracticalfor experiments currently, TCAD simulation can be used to project performance goals for aggressively scaled devices.This research focus on the methodology to compare different technologies for alternativeto Silicon based traditional logic device using TCAD simulations.…

N° de réf. du vendeur 9783639105605

Titre
Simulation Methodology to Compare Alternatives to Silicon Device : Ultra-thin body single-gate/double-gate,FinFET,tri- gate FDSOI MOSFET,Indium Antimonide MOSFET,Gallium Nitride MOSFET,which is future logic device?
Auteur
Yawei Jin
Éditeur
VDM Verlag Dr. Müller
Année de publication
2009
État de l'article
Neu
Reliure
Taschenbuch
Langue
anglais
ISBN à 10 chiffres
3639105605
ISBN à 13 chiffres
9783639105605
Poids de l'article
296 grammes
Dimensions
220x176x33 mm

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