Maity reshmi (28 résultats)
High-k Gate Dielectric Materials : Applications With Advanced Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors Mosfets
Maity, Niladri Pratap (EDT); Maity, Reshmi (EDT); Baishya, Srimanta (EDT)
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High-k Gate Dielectric Materials : Applications With Advanced Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs)
Maity, Niladri Pratap, Ph.D. (EDT); Maity, Reshmi, Ph.D. (EDT); Baishya, Srimanta, Ph.D. (EDT)
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Etat : New. Niladri Pratap Maity, PhD, is an Associate Professor in the Department of Electronics and Communication Engineering at Mizoram University, India. He is the author of more than 110 journal articles and conference papers and the recipient of several best/e.
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Taschenbuch. Etat : Neu. Neuware - This volume explores and addresses the challenges of high-k gate dielectric materials, one of the major concerns in the evolving semiconductor industry and the International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS).
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High-k Gate Dielectric Materials: Applications with Advanced Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs)
Pratap Maity, Niladri (Editor) / Baishya, Srimanta (Editor) / Maity, Reshmi (Editor)
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Buch. Etat : Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - This volume explores and addresses the challenges of high-k gate dielectric materials, one of the major concerns in the evolving semiconductor industry and the International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS). The application of high-k gate dielectric materials is a promising strategy that allows further miniaturization of microelectronic components.This book presents a broad review of SiO2 materials, including a brief historical note of Moore's law, followed by reliability issues of the SiO2 based MOS transistor. It goes on to discuss the transition of gate dielectrics with an EOT ~ 1 nm and a selection of high-k materials. A review of the various deposition techniques of different high-k films is also discussed. High-k dielectrics theories (quantum tunneling effects and interface engineering theory) and applications of different novel MOSFET structures, like tunneling FET, are also covered in this book.The volume also looks at the important issues in the future of CMOS technology and presents an analysis of interface charge densities with the high-k material tantalum pentoxide. The issue of CMOS VLSI technology with the high-k gate dielectric materials is covered as is the advanced MOSFET structure, with its working structure and modeling.This timely volume will prove to be a valuable resource on both the fundamentals and the successful integration of high-k dielectric materials in future IC technology.…
