Xinbo (340 résultats)
Compound Semiconductor Materials and Devices
Liu, Zhaojun; Huang, Tongde; Li, Qiang; Lu, Xing; Zou, Xinbo
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Compound Semiconductor Materials and Devices
Liu, Zhaojun; Huang, Tongde; Li, Qiang; Lu, Xing; Zou, Xinbo
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Compound Semiconductor Materials and Devices (Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies)
Liu, Zhaojun; Huang, Tongde; Li, Qiang; Lu, Xing; Zou, Xinbo
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Advances in Natural Computation: Second International Conference, ICNC 2006, Xi'an, China, September 24-28, 2006, Proceedings, Part II (Lecture Notes . Computer Science and General Issues)
Jiao, Licheng [Editor]; Wang, Lipo [Editor]; Gao, Xinbo [Editor]; Liu, Jing [Editor]; Wu, Feng [Editor];
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Compound Semiconductor Materials and Devices (Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies)
Liu, Zhaojun; Huang, Tongde; Li, Qiang; Lu, Xing; Zou, Xinbo
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Soft cover. Etat : As New. This book has been in storage since publication and is unread. Hence the description as new . Synopsis: Ever since its invention in the 1980s, the compound semiconductor heterojunction-based high electron mobility transistor (HEMT) has been widely used in radio frequency (RF) applications. This book provides readers with broad coverage on techniques and new trends of HEMT, employing leading compound semiconductors, III-N and III-V materials. The content includes an overview of GaN HEMT device-scaling technologies and experimental research breakthroughs in fabricating various GaN MOSHEMT transistors.…
Compound Semiconductor Materials and Devices
Liu, Zhaojun; Huang, Tongde; Li, Qiang; Lu, Xing; Zou, Xinbo
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Compound Semiconductor Materials and Devices (Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies)
Liu, Zhaojun; Huang, Tongde; Li, Qiang; Lu, Xing; Zou, Xinbo
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Compound Semiconductor Materials and Devices
Liu, Zhaojun; Huang, Tongde; Li, Qiang; Lu, Xing; Zou, Xinbo
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EUR 17,82 expéditionExpédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
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Big Data : 6th CCF Conference, Big Data 2018, Xi'an, China, October 11-13, 2018 Proceedings
Xu, Zongben (EDT); Gao, Xinbo (EDT); Miao, Qiguang (EDT); Zhang, Yunquan (EDT); Bu, Jiajun (EDT)
Langue : anglais
Edité par Springer, 2018
Série : Livre 247 sur 578 - Communications in Computer and Information Science
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Network and Parallel Computing : 13th Ifip Wg 10.3 International Conference, Proceedings
Gao, Guang R. (EDT); Qian, Depei (EDT); Gao, Xinbo (EDT); Chapman, Barbara (EDT); Chen, Wenguang (EDT)
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Network and Parallel Computing : 13th Ifip Wg 10.3 International Conference, Proceedings
Gao, Guang R. (EDT); Qian, Depei (EDT); Gao, Xinbo (EDT); Chapman, Barbara (EDT); Chen, Wenguang (EDT)
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Big Data : 6th CCF Conference, Big Data 2018, Xi'an, China, October 11-13, 2018 Proceedings
Xu, Zongben (EDT); Gao, Xinbo (EDT); Miao, Qiguang (EDT); Zhang, Yunquan (EDT); Bu, Jiajun (EDT)
Langue : anglais
Edité par Springer, 2018
Série : Livre 247 sur 578 - Communications in Computer and Information Science
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EUR 64,42
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EUR 7,72 expéditionExpédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : 4 disponibles
Etat : New. pp. 1048 49:B&W 6.14 x 9.21 in or 234 x 156 mm (Royal 8vo) Perfect Bound on White w/Gloss Lam.
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EUR 68,05
EUR 3,55 expéditionExpédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : 4 disponibles
Etat : New. pp. 1048.
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Vendeur : Rarewaves USA, HEBRON, KY, Etats-UnisRarewaves USA
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Frais de port gratuitsExpédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
Hardback. Etat : New.
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Vendeur : AHA-BUCH GmbH, Einbeck, AllemagneAHA-BUCH GmbH
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EUR 37,91
EUR 35,00 expéditionExpédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible
Taschenbuch. Etat : Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - Ever since its invention in the 1980s, the compound semiconductor heterojunction-based high electron mobility transistor (HEMT) has been widely used in radio frequency (RF) applications. This book provides readers with broad coverage on techniques and new trends of HEMT, employing leading compound semiconductors, III-N and III-V materials. The content includes an overview of GaN HEMT device-scaling technologies and experimental research breakthroughs in fabricating various GaN MOSHEMT transistors. Readers are offered an inspiring example of monolithic integration of HEMT with LEDs, too. The authors compile the most relevant aspects of III-V HEMT, including the current status of state-of-art HEMTs, their possibility of replacing the Si CMOS transistor channel, and growth opportunities of III-V materials on an Si substrate. With detailed exploration and explanations, the book is a helpful source suitable for anyone learning about and working on compound semiconductor devices.…
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Vendeur : Basi6 International, Irving, TX, Etats-UnisBasi6 International
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EUR 75,64
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