Drift diffusion equation applications mosfet (13 résultats)
Langue : anglais
Edité par Springer, 2011
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Vendeur : Ria Christie Collections, Uxbridge, Royaume-UniRia Christie Collections
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EUR 60,95
EUR 13,96 expéditionExpédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
Etat : New. In.
Langue : anglais
Edité par Springer 2011-12, 2011
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Vendeur : Chiron Media, Wallingford, Royaume-UniChiron Media
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EUR 57,36
EUR 18,05 expéditionExpédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : 10 disponible(s)
PF. Etat : New.
Langue : anglais
Edité par Springer, 2011
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Vendeur : Books Puddle, New York, NY, Etats-UnisBooks Puddle
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EUR 77,33
EUR 3,42 expéditionExpédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : 4 disponible(s)
Etat : New. pp. 288.
Langue : anglais
Edité par Springer Vienna, 2013
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Vendeur : Revaluation Books, Exeter, Royaume-UniRevaluation Books
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Paperback. Etat : Brand New. 288 pages. 9.61x6.69x0.65 inches. In Stock.
Langue : anglais
Edité par Springer-Verlag KG, 2004
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Vendeur : Buchpark, Trebbin, AllemagneBuchpark
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EUR 7,69
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Etat : Gut. Zustand: Gut | Seiten: 283 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Keine Beschreibung verfügbar.
Langue : anglais
Edité par Springer Vienna, 2011
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Vendeur : AHA-BUCH GmbH, Einbeck, AllemagneAHA-BUCH GmbH
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Taschenbuch. Etat : Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - To be perfect does not mean that there is nothing to add, but rather there is nothing to take away Antoine de Saint-Exupery The drift-diffusion approximation has served for more than two decades as the cornerstone for the numerical simulation of semico…nductor devices. However, the tremendous speed in the development of the semiconductor industry demands numerical simulation tools that are efficient and provide reliable results. This makes the development of a simulation tool an interdisciplinary task in which physics, numerical algorithms, and device technology merge. For the sake of an efficient code there are trade-offs between the different influencing factors. The numerical performance of a program that is highly flexible in device types and the geometries it covers certainly cannot compare with a program that is optimized for one type of device only. Very often the device is sufficiently described by a two dimensional geometry. This is the case in a MOSFET, for example, if the gate length is small compared with the gate width. In these cases the geometry reduces to the specification of a two-dimensional device. Here again the simplest geometries, which are planar or at least rectangular surfaces, will give the most efficient numerical codes. The device engineer has to decide whether this reduced description of the real device is still suitable for his purposes.
Langue : anglais
Edité par Springer, 1991
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Langue : anglais
Edité par Springer, 2011
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Vendeur : Brook Bookstore On Demand, Napoli, NA, ItalieBrook Bookstore On Demand
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Langue : anglais
Edité par Springer Vienna Dez 2011, 2011
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Vendeur : BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, AllemagneBuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.
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Taschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -To be perfect does not mean that there is nothing to add, but rather there is nothing to take away Antoine de Saint-Exupery The drift-diffusion approximation has served for more than two decades as the cornerstone for the numerical simu…lation of semiconductor devices. However, the tremendous speed in the development of the semiconductor industry demands numerical simulation tools that are efficient and provide reliable results. This makes the development of a simulation tool an interdisciplinary task in which physics, numerical algorithms, and device technology merge. For the sake of an efficient code there are trade-offs between the different influencing factors. The numerical performance of a program that is highly flexible in device types and the geometries it covers certainly cannot compare with a program that is optimized for one type of device only. Very often the device is sufficiently described by a two dimensional geometry. This is the case in a MOSFET, for example, if the gate length is small compared with the gate width. In these cases the geometry reduces to the specification of a two-dimensional device. Here again the simplest geometries, which are planar or at least rectangular surfaces, will give the most efficient numerical codes. The device engineer has to decide whether this reduced description of the real device is still suitable for his purposes. 288 pp. Englisch.
Langue : anglais
Edité par Springer, 2011
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Vendeur : Majestic Books, Hounslow, Royaume-UniMajestic Books
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Etat : New. Print on Demand pp. 288 95 Figures, 67:B&W 6.69 x 9.61 in or 244 x 170 mm (Pinched Crown) Perfect Bound on White w/Gloss Lam.
Langue : anglais
Edité par Springer, 2011
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Vendeur : Biblios, frankfurt am main, HESSE, AllemagneBiblios
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EUR 79,14
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Etat : New. PRINT ON DEMAND pp. 288.
Langue : anglais
Edité par Springer Vienna, 2011
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Vendeur : moluna, Greven, Allemagnemoluna
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Langue : anglais
Edité par Springer, Springer Dez 2011, 2011
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Taschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -To be perfect does not mean that there is nothing to add, but rather there is nothing to take away Antoine de Saint-Exupery The drift-diffusion approximation has served for more than two decades as the cornerstone for the numerical simulati…on of semiconductor devices. However, the tremendous speed in the development of the semiconductor industry demands numerical simulation tools that are efficient and provide reliable results. This makes the development of a simulation tool an interdisciplinary task in which physics, numerical algorithms, and device technology merge. For the sake of an efficient code there are trade-offs between the different influencing factors. The numerical performance of a program that is highly flexible in device types and the geometries it covers certainly cannot compare with a program that is optimized for one type of device only. Very often the device is sufficiently described by a two dimensional geometry. This is the case in a MOSFET, for example, if the gate length is small compared with the gate width. In these cases the geometry reduces to the specification of a two-dimensional device. Here again the simplest geometries, which are planar or at least rectangular surfaces, will give the most efficient numerical codes. The device engineer has to decide whether this reduced description of the real device is still suitable for his purposes.Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 Wien 288 pp. Englisch.
