Gate stack silicide issues par clevenger (12 résultats)
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Vendeur : Jeffrey Blake, Willow Grove, PA, Etats-UnisJeffrey Blake
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Frais de port gratuitsExpédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
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Vendeur : California Books, Miami, FL, Etats-UnisCalifornia Books
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Frais de port gratuitsExpédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
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Vendeur : Ria Christie Collections, Uxbridge, Royaume-UniRia Christie Collections
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Vendeur : Chiron Media, Wallingford, Royaume-UniChiron Media
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Vendeur : Kennys Bookshop and Art Galleries Ltd., Galway, GY, IrlandeKennys Bookshop and Art Galleries Ltd.
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Vendeur : Books Puddle, New York, NY, Etats-UnisBooks Puddle
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EUR 3,44 expéditionExpédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : 4 disponible(s)
Etat : New. pp. 254.
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Vendeur : Kennys Bookstore, Olney, MD, Etats-UnisKennys Bookstore
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Vendeur : THE SAINT BOOKSTORE, Southport, Royaume-UniTHE SAINT BOOKSTORE
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Vendeur : Majestic Books, Hounslow, Royaume-UniMajestic Books
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Etat : New. Print on Demand pp. 254.
Gate Stack and Silicide Issues in Silicon Processing
Kittl J. Herner S.B. Campbell S.A. Clevenger L.A. Besser P.R.
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Vendeur : Biblios, frankfurt am main, HESSE, AllemagneBiblios
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EUR 9,95 expéditionExpédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : 4 disponible(s)
Etat : New. PRINT ON DEMAND pp. 254.
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Vendeur : CitiRetail, Stevenage, Royaume-UniCitiRetail
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EUR 44,93
EUR 43,06 expéditionExpédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
Paperback. Etat : new. Paperback. As the feature size of microelectronic devices approaches the deep submicron regime, the process development and integration issues related to gate stack and silicide processing are key challenges. Gate leakage is rising due to direct tunneling. Power and reliability concerns are expected to lim…it the ultimate scaling of SiO2-based insulators to about 1.5nm. Gate insulators must not deleteriously affect the interface quality, thermal stability, charge trapping, or process integration. Metal gate materials and damascene gates are being investigated, in conjunction with the application of a high-permittivity gate insulator, to provide sufficient device performance at ULSI dimensions. The silicidation process is also coming under pressure. Narrow device widths and decreasing junction depths are making the formation of low-leakage, low-resistance silicide straps extremely difficult. Producing shallower junctions via ion implantation is inhibited by transient enhanced diffusion and low beam currents at low implantation energies. Gate stack and contact film effects, such as point defect injection, extended defect formation, and stress on ultrashallow junction formation must be considered. The MRS Symposium Proceeding series is an internationally recognised reference suitable for researchers and practitioners. This item is printed on demand. Shipping may be from our UK warehouse or from our Australian or US warehouses, depending on stock availability.
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Vendeur : moluna, Greven, Allemagnemoluna
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EUR 42,05
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Etat : New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. The MRS Symposium Proceeding series is an internationally recognised reference suitable for researchers and practitioners.KlappentextThe MRS Symposium Proceeding series is an internationally recognised reference suitable…for research.
