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Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors
Edité par Cambridge University Press, 2018
ISBN 10 : 1107162041 ISBN 13 : 9781107162044
Langue: anglais
Vendeur : Prior Books Ltd, Cheltenham, Royaume-Uni
Membre d'association : ABA ILAB PBFA
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
Edition originale
EUR 9,12
Autre deviseEUR 15,42 expédition depuis Royaume-Uni vers FranceQuantité disponible : 4 disponible(s)
Ajouter au panierHardcover. Etat : Like New. First Edition. Firm, square and tight with sharp corners and sturdy hinges, just showing a few minor bumps and some mild cosmetic wear. Hence a non-text page is stamped 'damaged'. Despite such this book is in nearly new condition. Thus the contents are crisp, fresh and clean. Offered for sale at a very sensible price.
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Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors
Edité par Cambridge University Press, 2018
ISBN 10 : 1107162041 ISBN 13 : 9781107162044
Langue: anglais
Vendeur : AMM Books, Gillingham, KENT, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 30,53
Autre deviseEUR 8,29 expédition depuis Royaume-Uni vers FranceQuantité disponible : 5 disponible(s)
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Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors
Edité par Cambridge University Press, 2018
ISBN 10 : 1107162041 ISBN 13 : 9781107162044
Langue: anglais
Vendeur : Academybookshop, Long Island City, NY, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 3 sur 5 étoiles
EUR 12,89
Autre deviseEUR 39,59 expédition depuis Etats-Unis vers FranceQuantité disponible : 1 disponible(s)
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Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors
Edité par Cambridge University Press, 2018
ISBN 10 : 1107162041 ISBN 13 : 9781107162044
Langue: anglais
Vendeur : Academybookshop, Long Island City, NY, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 3 sur 5 étoiles
EUR 12,89
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Ajouter au panierHardcover. Etat : Good. In fine, clean condition, with a remainder mark on the edge of the book and a TEAR on the cover, never-read,clean pages.
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Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors
Edité par Cambridge University Press, 2018
ISBN 10 : 1107162041 ISBN 13 : 9781107162044
Langue: anglais
Vendeur : AMM Books, Gillingham, KENT, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 70,53
Autre deviseEUR 8,29 expédition depuis Royaume-Uni vers FranceQuantité disponible : 2 disponible(s)
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MODELING NANOWIRE AND DOUBLE-GATE JUNCTIONLESS FIELD-EFFECT TRANSISTORS
Edité par Cambridge University Press, 2018
ISBN 10 : 1107162041 ISBN 13 : 9781107162044
Langue: anglais
Vendeur : Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 85,10
Autre deviseGratuit expédition depuis Etats-Unis vers FranceQuantité disponible : 1 disponible(s)
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MODELING NANOWIRE AND DOUBLE-GATE JUNCTIONLESS FIELD-EFFECT TRANSISTORS
Edité par Cambridge University Press, 2018
ISBN 10 : 1107162041 ISBN 13 : 9781107162044
Langue: anglais
Vendeur : Basi6 International, Irving, TX, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 85,10
Autre deviseEUR 2,95 expédition depuis Etats-Unis vers FranceQuantité disponible : 3 disponible(s)
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Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors
Edité par Cambridge University Press CUP, 2018
ISBN 10 : 1107162041 ISBN 13 : 9781107162044
Langue: anglais
Vendeur : Books Puddle, New York, NY, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 4 sur 5 étoiles
EUR 88,10
Autre deviseEUR 7,93 expédition depuis Etats-Unis vers FranceQuantité disponible : 1 disponible(s)
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Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors
Edité par Cambridge University Press, 2018
ISBN 10 : 1107162041 ISBN 13 : 9781107162044
Langue: anglais
Vendeur : Labyrinth Books, Princeton, NJ, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 4 sur 5 étoiles
EUR 78,91
Autre deviseEUR 17,62 expédition depuis Etats-Unis vers FranceQuantité disponible : 1 disponible(s)
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Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors
Edité par Cambridge University Press, 2018
ISBN 10 : 1107162041 ISBN 13 : 9781107162044
Langue: anglais
Vendeur : Majestic Books, Hounslow, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 87,16
Autre deviseEUR 10,50 expédition depuis Royaume-Uni vers FranceQuantité disponible : 1 disponible(s)
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Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors
Edité par Cambridge University Press, 2018
ISBN 10 : 1107162041 ISBN 13 : 9781107162044
Langue: anglais
Vendeur : Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 100,62
Autre deviseGratuit expédition depuis Etats-Unis vers FranceQuantité disponible : 1 disponible(s)
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Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors
Edité par Cambridge University Press, 2018
ISBN 10 : 1107162041 ISBN 13 : 9781107162044
Langue: anglais
Vendeur : Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
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Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors
Edité par Cambridge University Press, 2018
ISBN 10 : 1107162041 ISBN 13 : 9781107162044
Langue: anglais
Vendeur : Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Allemagne
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 90,34
Autre deviseEUR 7,95 expédition depuis Allemagne vers FranceQuantité disponible : 1 disponible(s)
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MODELING NANOWIRE AND DOUBLE-GATE JUNCTIONLESS FIELD-EFFECT TRANSISTORS
Edité par Cambridge University Press, 2018
ISBN 10 : 1107162041 ISBN 13 : 9781107162044
Langue: anglais
Vendeur : Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 131,13
Autre deviseGratuit expédition depuis Etats-Unis vers FranceQuantité disponible : 5 disponible(s)
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Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors
Edité par Cambridge University Press, 2018
ISBN 10 : 1107162041 ISBN 13 : 9781107162044
Langue: anglais
Vendeur : PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 4 sur 5 étoiles
EUR 148,95
Autre deviseEUR 5,73 expédition depuis Royaume-Uni vers FranceQuantité disponible : 15 disponible(s)
Ajouter au panierHRD. Etat : New. New Book. Shipped from UK. Established seller since 2000.
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Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors
Edité par Cambridge University Press, 2018
ISBN 10 : 1107162041 ISBN 13 : 9781107162044
Langue: anglais
Vendeur : PBShop.store US, Wood Dale, IL, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 155,65
Autre deviseEUR 0,76 expédition depuis Etats-Unis vers FranceQuantité disponible : 15 disponible(s)
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Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors
Edité par Cambridge University Press, 2018
ISBN 10 : 1107162041 ISBN 13 : 9781107162044
Langue: anglais
Vendeur : Mispah books, Redhill, SURRE, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 4 sur 5 étoiles
EUR 152,73
Autre deviseEUR 29,66 expédition depuis Royaume-Uni vers FranceQuantité disponible : 1 disponible(s)
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Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors
Edité par Cambridge University Press, 2018
ISBN 10 : 1107162041 ISBN 13 : 9781107162044
Langue: anglais
Vendeur : THE SAINT BOOKSTORE, Southport, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 177,78
Autre deviseEUR 8,53 expédition depuis Royaume-Uni vers FranceQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
Ajouter au panierHardback. Etat : New. New copy - Usually dispatched within 4 working days. 698.
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Modeling Nanowire and Double-gate Junctionless Field-effect Transistors
Vendeur : Revaluation Books, Exeter, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 180,70
Autre deviseEUR 11,86 expédition depuis Royaume-Uni vers FranceQuantité disponible : 1 disponible(s)
Ajouter au panierHardcover. Etat : Brand New. 233 pages. 10.00x7.00x0.25 inches. In Stock.
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Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors (Hardcover)
Edité par Cambridge University Press, Cambridge, 2018
ISBN 10 : 1107162041 ISBN 13 : 9781107162044
Langue: anglais
Vendeur : CitiRetail, Stevenage, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 175,93
Autre deviseEUR 29,66 expédition depuis Royaume-Uni vers FranceQuantité disponible : 1 disponible(s)
Ajouter au panierHardcover. Etat : new. Hardcover. The first book on the topic, this is a comprehensive introduction to the modeling and design of junctionless field effect transistors (FETs). Beginning with a discussion of the advantages and limitations of the technology, the authors also provide a thorough overview of published analytical models for double-gate and nanowire configurations, before offering a general introduction to the EPFL charge-based model of junctionless FETs. Important features are introduced gradually, including nanowire versus double-gate equivalence, technological design space, junctionless FET performances, short channel effects, transcapacitances, asymmetric operation, thermal noise, interface traps, and the junction FET. Additional features compatible with biosensor applications are also discussed. This is a valuable resource for students and researchers looking to understand more about this new and fast developing field. The first of its kind, this is a detailed introduction to this new and fast-developing field. It covers the design, modeling, and operation of junctionless field effect transistors (FETs), as well as advantages and limitations. It is Ideal for graduate students and researchers working in semiconductor nanotechnology. Shipping may be from our UK warehouse or from our Australian or US warehouses, depending on stock availability.
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Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors (Hardcover)
Edité par Cambridge University Press, Cambridge, 2018
ISBN 10 : 1107162041 ISBN 13 : 9781107162044
Langue: anglais
Vendeur : Grand Eagle Retail, Fairfield, OH, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 187,28
Autre deviseEUR 66,06 expédition depuis Etats-Unis vers FranceQuantité disponible : 1 disponible(s)
Ajouter au panierHardcover. Etat : new. Hardcover. The first book on the topic, this is a comprehensive introduction to the modeling and design of junctionless field effect transistors (FETs). Beginning with a discussion of the advantages and limitations of the technology, the authors also provide a thorough overview of published analytical models for double-gate and nanowire configurations, before offering a general introduction to the EPFL charge-based model of junctionless FETs. Important features are introduced gradually, including nanowire versus double-gate equivalence, technological design space, junctionless FET performances, short channel effects, transcapacitances, asymmetric operation, thermal noise, interface traps, and the junction FET. Additional features compatible with biosensor applications are also discussed. This is a valuable resource for students and researchers looking to understand more about this new and fast developing field. The first of its kind, this is a detailed introduction to this new and fast-developing field. It covers the design, modeling, and operation of junctionless field effect transistors (FETs), as well as advantages and limitations. It is Ideal for graduate students and researchers working in semiconductor nanotechnology. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability.
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Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors (Hardcover)
Edité par Cambridge University Press, Cambridge, 2018
ISBN 10 : 1107162041 ISBN 13 : 9781107162044
Langue: anglais
Vendeur : AussieBookSeller, Truganina, VIC, Australie
Évaluation du vendeur 3 sur 5 étoiles
EUR 268,02
Autre deviseEUR 32,59 expédition depuis Australie vers FranceQuantité disponible : 1 disponible(s)
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