Modeling simulation theory practice (123 résultats)

Langue : anglais
Edité par Birkhäuser, 2009
Série : Livre 23 sur 55 - Modeling and Simulation in Science, Engineering and Technology
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Langue : anglais
Edité par World Scientific Publishing Co Pte Ltd, SG, 2007
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Paperback. Etat : New. A reprint of the classic text, this book popularized compact modeling of electronic and semiconductor devices and components for college and graduate-school classrooms, and manufacturing engineering, over a decade ago. The first comprehensive book on MOS transistor compact modeling, it was the most cited a…mong similar books in the area and remains the most frequently cited today. The coverage is device-physics based and continues to be relevant to the latest advances in MOS transistor modeling. This is also the only book that discusses in detail how to measure device model parameters required for circuit simulations.The book deals with the MOS Field Effect Transistor (MOSFET) models that are derived from basic semiconductor theory. Various models are developed, ranging from simple to more sophisticated models that take into account new physical effects observed in submicron transistors used in today's (1993) MOS VLSI technology. The assumptions used to arrive at the models are emphasized so that the accuracy of the models in describing the device characteristics are clearly understood. Due to the importance of designing reliable circuits, device reliability models are also covered. Understanding these models is essential when designing circuits for state-of-the-art MOS ICs.

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Langue : anglais
Edité par World Scientific Publishing Co Pte Ltd, Singapore, 2007
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Paperback. Etat : new. Paperback. A reprint of the classic text, this book popularized compact modeling of electronic and semiconductor devices and components for college and graduate-school classrooms, and manufacturing engineering, over a decade ago. The first comprehensive book on MOS transistor compact modeling, it was the m…ost cited among similar books in the area and remains the most frequently cited today. The coverage is device-physics based and continues to be relevant to the latest advances in MOS transistor modeling. This is also the only book that discusses in detail how to measure device model parameters required for circuit simulations.The book deals with the MOS Field Effect Transistor (MOSFET) models that are derived from basic semiconductor theory. Various models are developed, ranging from simple to more sophisticated models that take into account new physical effects observed in submicron transistors used in today's (1993) MOS VLSI technology. The assumptions used to arrive at the models are emphasized so that the accuracy of the models in describing the device characteristics are clearly understood. Due to the importance of designing reliable circuits, device reliability models are also covered. Understanding these models is essential when designing circuits for state-of-the-art MOS ICs. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability.

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Langue : anglais
Edité par World Scientific Publishing Company, Incorporated, 2023
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Langue : anglais
Edité par World Scientific Publishing Company, Incorporated, 2023
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Langue : anglais
Edité par World Scientific Publishing Company, Incorporated, 2023
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Vendeur : Biblios, frankfurt am main, HESSE, AllemagneBiblios
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Langue : anglais
Edité par Wiley, 2017
Série : Livre 3 sur 6 - Wiley Series in Modeling and Simulation
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Langue : anglais
Edité par John Wiley & Sons, 2017
Série : Livre 3 sur 6 - Wiley Series in Modeling and Simulation
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Vendeur : Books Puddle, New York, NY, Etats-UnisBooks Puddle
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EUR 110,63
EUR 3,42 expéditionExpédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
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Vendeur : GreatBookPrices, Columbia, MD, Etats-UnisGreatBookPrices
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EUR 111,98
EUR 2,26 expéditionExpédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : 2 disponible(s)
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Vendeur : Revaluation Books, Exeter, Royaume-UniRevaluation Books
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EUR 14,61 expéditionExpédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : 2 disponible(s)
Paperback. Etat : Brand New. reprint edition. 632 pages. 9.02x6.22x1.30 inches. In Stock.

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Vendeur : GreatBookPricesUK, Woodford Green, Royaume-UniGreatBookPricesUK
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EUR 97,46
EUR 17,53 expéditionExpédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : 2 disponible(s)
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Vendeur : Basi6 International, Irving, TX, Etats-UnisBasi6 International
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EUR 116,28
Frais de port gratuitsExpédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
Etat : Brand New. New. US edition. Expediting shipping for all USA and Europe orders excluding PO Box. Excellent Customer Service.

Physical Multiscale Modeling and Numerical Simulation of Electrochemical Devices for Energy Conversion and Storage : From Theory to Engineering to Practice
Franco, Alejandro A. (EDT); Doublet, Marie Liesse (EDT); Bessler, Wolfgang G. (EDT)
Langue : anglais
Edité par Springer, 2016
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Edité par Springer, 2016
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Vendeur : California Books, Miami, FL, Etats-UnisCalifornia Books
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EUR 116,52
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Vendeur : GreatBookPrices, Columbia, MD, Etats-UnisGreatBookPrices
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Vendeur : Brook Bookstore On Demand, Napoli, NA, ItalieBrook Bookstore On Demand
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EUR 108,35
EUR 8,00 expéditionExpédition depuis Italie vers Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
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Langue : anglais
Edité par John Wiley & Sons, 2017
Série : Livre 3 sur 6 - Wiley Series in Modeling and Simulation
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Vendeur : Majestic Books, Hounslow, Royaume-UniMajestic Books
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EUR 112,19
EUR 7,60 expéditionExpédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
Etat : New.

Langue : anglais
Edité par Springer, 2016
Série : Livre 106 sur 538 - Studies in Computational Intelligence
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Vendeur : Studibuch, Stuttgart, AllemagneStudibuch
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EUR 62,30 expéditionExpédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
paperback. Etat : Sehr gut. 160 Seiten; 9784431561569.2 Gewicht in Gramm: 6.