Oxide electronics functional properties (18 résultats)
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Vendeur : Romtrade Corp., STERLING HEIGHTS, MI, Etats-UnisRomtrade Corp.
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Frais de port gratuitsExpédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
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Vendeur : Basi6 International, Irving, TX, Etats-UnisBasi6 International
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Frais de port gratuitsExpédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
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Vendeur : Books Puddle, New York, NY, Etats-UnisBooks Puddle
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Vendeur : Majestic Books, Hounslow, Royaume-UniMajestic Books
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Etat : Used. pp. 324.
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Vendeur : Biblios, frankfurt am main, HESSE, AllemagneBiblios
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Etat : Used. pp. 324.
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Vendeur : PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Royaume-UniPBShop.store UK
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HRD. Etat : New. New Book. Shipped from UK. Established seller since 2000.
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Vendeur : GreatBookPrices, Columbia, MD, Etats-UnisGreatBookPrices
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Etat : New.
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Vendeur : GreatBookPrices, Columbia, MD, Etats-UnisGreatBookPrices
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EUR 2,31 expéditionExpédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : 2 disponible(s)
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Vendeur : GreatBookPricesUK, Woodford Green, Royaume-UniGreatBookPricesUK
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EUR 17,59 expéditionExpédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : 2 disponible(s)
Etat : New.
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Vendeur : Rarewaves.com USA, London, LONDO, Royaume-UniRarewaves.com USA
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Hardback. Etat : New.
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Vendeur : Kennys Bookshop and Art Galleries Ltd., Galway, GY, IrlandeKennys Bookshop and Art Galleries Ltd.
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Etat : New. Editor(s): Pergament, Alexander. Num Pages: 324 pages. BIC Classification: PN. Category: (P) Professional & Vocational. Dimension: 259 x 182 x 20. Weight in Grams: 650. . 2014. Hardcover. . . . .
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Vendeur : GreatBookPricesUK, Woodford Green, Royaume-UniGreatBookPricesUK
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EUR 17,59 expéditionExpédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : 2 disponible(s)
Etat : As New. Unread book in perfect condition.
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Vendeur : Revaluation Books, Exeter, Royaume-UniRevaluation Books
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Hardcover. Etat : Brand New. uk ed. edition. 242 pages. 10.00x7.00x1.00 inches. In Stock.
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Vendeur : moluna, Greven, Allemagnemoluna
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Gebunden. Etat : New. KlappentextrnrnMOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) for a long time have been the workhorse of the modern electronics industry. For the purpose of a permanent integration enhancement, the size of a MOSFET has been decreas.
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Vendeur : Kennys Bookstore, Olney, MD, Etats-UnisKennys Bookstore
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EUR 9,19 expéditionExpédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : 2 disponible(s)
Etat : New. Editor(s): Pergament, Alexander. Num Pages: 324 pages. BIC Classification: PN. Category: (P) Professional & Vocational. Dimension: 259 x 182 x 20. Weight in Grams: 650. . 2014. Hardcover. . . . . Books ship from the US and Ireland.
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Vendeur : Gazelle Books, Lancaster, LANCA, Royaume-UniGazelle Books
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EUR 192,94
EUR 64,50 expéditionExpédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : 2 disponible(s)
Hardback. Etat : New. New Book, Direct from Publisher.
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Vendeur : Rarewaves.com UK, London, Royaume-UniRarewaves.com UK
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Hardback. Etat : New.
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Vendeur : AHA-BUCH GmbH, Einbeck, AllemagneAHA-BUCH GmbH
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Buch. Etat : Neu. Neuware - MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) for a long time have been the workhorse of the modern electronics industry. For the purpose of a permanent integration enhancement, the size of a MOSFET has been decreasing exponentially for decades in compliance with Moore's Law, but n…owadays, owing to the intrinsic restrictions, the further scaling of MOSFET devices either encounters fundamental (e.g. quantum-mechanical) limits or demands for more and more sophisticated and expensive engineering solutions. Alternative approaches and device concepts are being currently designed both in order to sustain an increase of the integration degree, and to improve the functionality and performance of electronic devices. Oxide electronics is one such promising approach which could enable and accelerate the development of information and computing technology. The behavior of d-electrons in transition metal oxides (TMOs) is responsible for the unique properties of these materials, causing strong electron-electron correlations, which play an important role in the mechanism of metal-insulator transition. The Mott transition in vanadium dioxide is specifically the effect that researchers consider as one of the most promising phenomena for oxide electronics, particularly in its special direction known as a Mott-transition field-effect transistor (MTFET).
