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Random Access Memory
Langue: anglais
Edité par French Bread Publications, 2006
ISBN 10 : 097690490X ISBN 13 : 9780976904908
Vendeur : Books of Paradise, Magalia, CA, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 5,22
Expédition à EUR 5,11
Expédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
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Random Access Memory
Langue: anglais
Edité par French Bread Publications, 2006
ISBN 10 : 097690490X ISBN 13 : 9780976904908
Vendeur : World of Books (was SecondSale), Montgomery, IL, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 13,50
Livraison gratuite
Expédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
Ajouter au panierEtat : Good. Item in good condition. Textbooks may not include supplemental items i.e. CDs, access codes etc.
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Random Access Memory
Langue: anglais
Edité par French Bread Publications, 2006
ISBN 10 : 097690490X ISBN 13 : 9780976904908
Vendeur : Bookmans, Tucson, AZ, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 11,91
Expédition à EUR 3,40
Expédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
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Cross Section of DRAM (Dynamic Random Access Memory)
Vendeur : GreatBookPrices, Columbia, MD, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 14,49
Expédition à EUR 2,25
Expédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
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Cross Section of DRAM (Dynamic Random Access Memory)
Vendeur : Rarewaves USA, OSWEGO, IL, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 16,81
Livraison gratuite
Expédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
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Cross Section of DRAM (Dynamic Random Access Memory)
Vendeur : GreatBookPrices, Columbia, MD, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 14,78
Expédition à EUR 2,25
Expédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
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Cross Section of DRAM (Dynamic Random Access Memory)
Vendeur : Rarewaves.com USA, London, LONDO, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 18,96
Livraison gratuite
Expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
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Random Access Memory
Edité par English, 2014
ISBN 10 : 9350450712 ISBN 13 : 9789350450710
Vendeur : Majestic Books, Hounslow, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 4 sur 5 étoiles
EUR 7,90
Expédition à EUR 7,50
Expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : 4 disponible(s)
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Random Access Memory
Edité par English, 2014
ISBN 10 : 9350450712 ISBN 13 : 9789350450710
Vendeur : Books Puddle, New York, NY, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 4 sur 5 étoiles
EUR 12,80
Expédition à EUR 3,40
Expédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : 4 disponible(s)
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Random Access Memory
Edité par English, 2014
ISBN 10 : 9350450712 ISBN 13 : 9789350450710
Vendeur : Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Allemagne
Évaluation du vendeur 4 sur 5 étoiles
EUR 8,60
Expédition à EUR 9,95
Expédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : 4 disponible(s)
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Resistive Random Access Memory (RRAM) (Paperback)
Langue: anglais
Edité par Springer International Publishing AG, Cham, 2016
ISBN 10 : 3031009029 ISBN 13 : 9783031009020
Vendeur : Grand Eagle Retail, Bensenville, IL, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 35,13
Livraison gratuite
Expédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
Ajouter au panierPaperback. Etat : new. Paperback. RRAM technology has made significant progress in the past decade as a competitive candidate for the next generation non-volatile memory (NVM). This lecture is a comprehensive tutorial of metal oxide-based RRAM technology from device fabrication to array architecture design. State-of-the-art RRAM device performances, characterization, and modeling techniques are summarized, and the design considerations of the RRAM integration to large-scale array with peripheral circuits are discussed. Chapter 2 introduces the RRAM device fabrication techniques and methods to eliminate the forming process, and will show its scalability down to sub-10 nm regime. Then the device performances such as programming speed, variability control, and multi-level operation are presented, and finally the reliability issues such as cycling endurance and data retention are discussed. Chapter 3 discusses the RRAM physical mechanism, and the materials characterization techniques to observe the conductive filaments andthe electrical characterization techniques to study the electronic conduction processes. It also presents the numerical device modeling techniques for simulating the evolution of the conductive filaments as well as the compact device modeling techniques for circuit-level design. Chapter 4 discusses the two common RRAM array architectures for large-scale integration: one-transistor-one-resistor (1T1R) and cross-point architecture with selector. The write/read schemes are presented and the peripheral circuitry design considerations are discussed. Finally, a 3D integration approach is introduced for building ultra-high density RRAM array. Chapter 5 is a brief summary and will give an outlook for RRAMs potential novel applications beyond the NVM applications. State-of-the-art RRAM device performances, characterization, and modeling techniques are summarized, and the design considerations of the RRAM integration to large-scale array with peripheral circuits are discussed. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability.
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Cross Section of DRAM (Dynamic Random Access Memory)
Vendeur : GreatBookPricesUK, Woodford Green, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 19,12
Expédition à EUR 17,30
Expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
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Cross Section of DRAM (Dynamic Random Access Memory)
Vendeur : GreatBookPricesUK, Woodford Green, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 22,12
Expédition à EUR 17,30
Expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
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Resistive Random Access Memory (RRAM)
Vendeur : Revaluation Books, Exeter, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 29,69
Expédition à EUR 11,53
Expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
Ajouter au panierPaperback. Etat : Brand New. 78 pages. 9.25x7.51x9.25 inches. In Stock.
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Resistive Random Access Memory (RRAM) (Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies)
Vendeur : Books Puddle, New York, NY, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 4 sur 5 étoiles
EUR 43,65
Expédition à EUR 3,40
Expédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : 4 disponible(s)
Ajouter au panierEtat : New. 1st edition NO-PA16APR2015-KAP.
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Development of a Six-Transistor Static Random-Access Memory Unit for Reduced Power Dissipation and Improved Characteristics in Sleep State
Vendeur : Ria Christie Collections, Uxbridge, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 33,04
Expédition à EUR 13,82
Expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
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Resistive Random Access Memory (RRAM) (Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies)
Langue: anglais
Edité par Morgan & Claypool Publishers, 2016
ISBN 10 : 1627059296 ISBN 13 : 9781627059299
Vendeur : Our Kind Of Books, Liphook, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 23,76
Expédition à EUR 25,55
Expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : 2 disponible(s)
Ajouter au panierSoft cover. Etat : As New. This book has been in storage since publication and is unread. Hence the description as new. Synopsis: RRAM technology has made significant progress in the past decade as a competitive candidate for the next generation non-volatile memory (NVM). This lecture is a comprehensive tutorial of metal oxide-based RRAM technology from device fabrication to array architecture design. State-of-the-art RRAM device performances, characterization, and modeling techniques are summarized, and the design considerations of the RRAM integration to large-scale array with peripheral circuits are discussed.
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RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY
Langue: anglais
Edité par Morgan & Claypool Publishers, 2016
ISBN 10 : 1627059296 ISBN 13 : 9781627059299
Vendeur : Basi6 International, Irving, TX, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 52,64
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Expédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
Ajouter au panierEtat : Brand New. New. US edition. Expediting shipping for all USA and Europe orders excluding PO Box. Excellent Customer Service.
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Resistive Random Access Memory (RRAM) (Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies)
Langue: anglais
Edité par Morgan & Claypool Publishers (edition ), 2016
ISBN 10 : 1627059296 ISBN 13 : 9781627059299
Vendeur : BooksRun, Philadelphia, PA, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 59,26
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Expédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : 3 disponible(s)
Ajouter au panierPaperback. Etat : Very Good. It's a well-cared-for item that has seen limited use. The item may show minor signs of wear. All the text is legible, with all pages included. It may have slight markings and/or highlighting.
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Resistive Random Access Memory (RRAM) (Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies)
Langue: anglais
Edité par Morgan & Claypool Publishers (edition ), 2016
ISBN 10 : 1627059296 ISBN 13 : 9781627059299
Vendeur : BooksRun, Philadelphia, PA, Etats-Unis
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Resistive Random Access Memory (RRAM) (Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies)
Langue: anglais
Edité par Morgan & Claypool Publishers (edition ), 2016
ISBN 10 : 1627059296 ISBN 13 : 9781627059299
Vendeur : BooksRun, Philadelphia, PA, Etats-Unis
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EUR 59,26
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Expédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : 2 disponible(s)
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Cross Section of DRAM (Dynamic Random Access Memory)
Vendeur : Rarewaves USA United, OSWEGO, IL, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 19,11
Expédition à EUR 42,61
Expédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
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Introduction to Magnetic Random-Access Memory
Vendeur : Scissortail, Oklahoma City, OK, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 68,78
Livraison gratuite
Expédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
Ajouter au panierEtat : good. This is a pre-loved book that shows moderate signs of wear from previous reading. You may notice creases, edge wear, or a cracked spine, but it remains in solid, readable condition.Please note:-May include library or rental stickers, stamps, or markings.-Supplemental materials e.g., CDs, access codes, inserts are not guaranteed.-Box sets may not come with the original outer box. If it does, the box will not be in perfect condition. -Sourced from donation centers; authenticity not verified with publisher. Your satisfaction is our top priority! If you have any questions or concerns about your order, please don't hesitate to reach out. Thank you for shopping with us and supporting small businessâ"happy reading!
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Introduction to Magnetic Random-Access Memory
Vendeur : Scissortail, Oklahoma City, OK, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 68,78
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Expédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
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Introduction to Magnetic Random-Access Memory
Vendeur : Scissortail, Oklahoma City, OK, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 68,78
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Expédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
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Introduction to Magnetic Random-Access Memory
Vendeur : World of Books (was SecondSale), Montgomery, IL, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 69,88
Livraison gratuite
Expédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
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Trends In Capacitorless Dynamic Random Access Memory
Langue: anglais
Edité par LAP LAMBERT Academic Publishing, 2023
ISBN 10 : 6206782441 ISBN 13 : 9786206782445
Vendeur : Books Puddle, New York, NY, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 4 sur 5 étoiles
EUR 76,65
Expédition à EUR 3,40
Expédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : 4 disponible(s)
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Trends In Capacitorless Dynamic Random Access Memory
Langue: anglais
Edité par LAP LAMBERT Academic Publishing, 2023
ISBN 10 : 6206782441 ISBN 13 : 9786206782445
Vendeur : Majestic Books, Hounslow, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 4 sur 5 étoiles
EUR 75,91
Expédition à EUR 7,50
Expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : 4 disponible(s)
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Resistive Random Access Memory (RRAM) (Paperback)
Langue: anglais
Edité par Springer International Publishing AG, Cham, 2016
ISBN 10 : 3031009029 ISBN 13 : 9783031009020
Vendeur : AussieBookSeller, Truganina, VIC, Australie
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 51,93
Expédition à EUR 31,53
Expédition depuis Australie vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
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DRAM (Dynamic Random Access Memory) Process Flow
Vendeur : GreatBookPrices, Columbia, MD, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 86,43
Expédition à EUR 2,25
Expédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
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