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complementary metal oxide semiconductor (30 résultats)
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Complementary Metal-Oxide Semiconductor Digital Circuit Technology
Vendeur : Anybook.com, Lincoln, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 5,74
Expédition à EUR 15,76
Expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
Ajouter au panierEtat : Good. This is an ex-library book and may have the usual library/used-book markings inside.This book has soft covers. Clean from markings. In good all round condition. Please note the Image in this listing is a stock photo and may not match the covers of the actual item,850grams, ISBN:0131388436.
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Complementary Metal-oxide Semiconductor Digital Circuit Technology
Vendeur : La bataille des livres, Pradinas, France
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 9
Expédition à EUR 33
Expédition depuis France vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
Ajouter au panierEtat : Très bon. Complementary Metal-oxide Semiconductor Digital Circuit Technology | Masakazu Shoji | Prentice Hall, 1988. In-8° broché, 434p . Couverture propre . Dos solide. Intérieur frais sans soulignage ou annotation. Exemplaire de bibliothèque : petit code barre en pied de 1re de couv., cotation au dos, rares et discrets petits tampons à l'intérieur de l'ouvrage.Très bon état général pour cet ouvrage. [Ba 50+] Pour les expéditions internationales, nous consulter au préalable pour l ajustement des frais de port qui seront peut-être revus à la baisse/ For international shipments, please contact us in advance to adjust shipping costs. |.
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High Speed Complementary Metal-oxide Semiconductor Logic Data Book 1984
Langue: anglais
Edité par Texas Instruments Deutschland, UK, 1984
ISBN 10 : 388078051X ISBN 13 : 9783880780514
Vendeur : Harry Righton, Evesham, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 29,84
Expédition à EUR 23,18
Expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
Ajouter au panierSoft cover. Etat : Fair. corners creased. waterstain visible on edges of some pages with some crinkling of pages. binding tight. some biro scribble to front cover. Size: 8vo - over 7¾ - 9¾" tall. Book.
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Second Book of Complementary Metal-oxide Semiconductor Integrated Circuit Projects
Langue: anglais
Edité par Bernard Babani Publishing, 1979
ISBN 10 : 0900162783 ISBN 13 : 9780900162787
Vendeur : WeBuyBooks, Rossendale, LANCS, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 48,80
Expédition à EUR 8,15
Expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
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Digital Circuit Design using CMOS and ANN Technology with Verilog HDL: Digital Circuit Design using Complementary Metal Oxide Semiconductor and ANN Technology Applicaton with Verilog HDL
Langue: anglais
Edité par LAP LAMBERT Academic Publishing, 2024
ISBN 10 : 6207485254 ISBN 13 : 9786207485253
Vendeur : Books Puddle, New York, NY, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 4 sur 5 étoiles
EUR 78,06
Expédition à EUR 3,45
Expédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : 4 disponible(s)
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Investigations on Complementary Metal Oxide Semiconductor Topologies
Langue: anglais
Edité par LAP LAMBERT Academic Publishing, 2021
ISBN 10 : 620279965X ISBN 13 : 9786202799652
Vendeur : Books Puddle, New York, NY, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 4 sur 5 étoiles
EUR 78,20
Expédition à EUR 3,45
Expédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : 4 disponible(s)
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Investigations on Complementary Metal Oxide Semiconductor Topologies | support to 4G technologie
Langue: anglais
Edité par LAP LAMBERT Academic Publishing, 2021
ISBN 10 : 620279965X ISBN 13 : 9786202799652
EUR 53,25
Expédition à EUR 70
Expédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : 5 disponible(s)
Ajouter au panierTaschenbuch. Etat : Neu. Investigations on Complementary Metal Oxide Semiconductor Topologies | support to 4G technologie | Nimushakavi Sn Murti Sarma (u. a.) | Taschenbuch | Englisch | 2021 | LAP LAMBERT Academic Publishing | EAN 9786202799652 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.
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Complementary Metal Oxide Semiconductor
Vendeur : GreatBookPrices, Columbia, MD, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 137,80
Expédition à EUR 2,28
Expédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
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Complementary Metal Oxide Semiconductor
Vendeur : GreatBookPrices, Columbia, MD, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 139,78
Expédition à EUR 2,28
Expédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
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Complementary Metal Oxide Semiconductor
Vendeur : Ria Christie Collections, Uxbridge, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 132,91
Expédition à EUR 13,88
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Complementary Metal Oxide Semiconductor
Vendeur : GreatBookPricesUK, Woodford Green, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 132,58
Expédition à EUR 17,38
Expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
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Complementary Metal Oxide Semiconductor
Vendeur : GreatBookPricesUK, Woodford Green, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 144,43
Expédition à EUR 17,38
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High Speed Complementary Metal-oxide Semiconductor Logic Data Book
Langue: anglais
Edité par Texas Instruments Deutschland, 1984
ISBN 10 : 388078051X ISBN 13 : 9783880780514
Vendeur : Mispah books, Redhill, SURRE, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 4 sur 5 étoiles
EUR 260,22
Expédition à EUR 28,97
Expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
Ajouter au panierpaperback. Etat : Good. Good. Dust Jacket NOT present. CD WILL BE MISSING. . SHIPS FROM MULTIPLE LOCATIONS. book.
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EUR 71,92
Expédition à EUR 15,55
Expédition depuis Chine vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
Ajouter au panierHardcover. Etat : Good. Ship out in 2 business day, And Fast shipping, Free Tracking number will be provided after the shipment.Complementary metal oxide semiconductor Data Sheet (English hardcover)Four Satisfaction guaranteed,or money back.
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Digital Circuit Design using CMOS and ANN Technology with Verilog HDL: Digital Circuit Design using Complementary Metal Oxide Semiconductor and ANN Technology Applicaton with Verilog HDL
Langue: anglais
Edité par LAP LAMBERT Academic Publishing, 2024
ISBN 10 : 6207485254 ISBN 13 : 9786207485253
Vendeur : Majestic Books, Hounslow, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 4 sur 5 étoiles
EUR 77,31
Expédition à EUR 7,53
Expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : 4 disponible(s)
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Investigations on Complementary Metal Oxide Semiconductor Topologies
Langue: anglais
Edité par LAP LAMBERT Academic Publishing, 2021
ISBN 10 : 620279965X ISBN 13 : 9786202799652
Vendeur : Majestic Books, Hounslow, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 4 sur 5 étoiles
EUR 79,13
Expédition à EUR 7,53
Expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : 4 disponible(s)
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Investigations on Complementary Metal Oxide Semiconductor Topologies
Langue: anglais
Edité par LAP LAMBERT Academic Publishing Mai 2021, 2021
ISBN 10 : 620279965X ISBN 13 : 9786202799652
Vendeur : BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Allemagne
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 61,90
Expédition à EUR 23
Expédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : 2 disponible(s)
Ajouter au panierTaschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -The transistor development and its continuous down-scaling have improved during the last few decades the appearance of low-cost wireless communication systems targeting consumer products. The importance of device nonlinearity a new transistor model based on the independent representation of each of the transistor's nonlinear elements is developed with the aim of quantifying the individual contribution of each of the transistors nonlinear elements, to the total distortion.The design of next-generation 4G systems is one of the most active and important of research and development in wireless communication systems. The demand has been increased for low-cost RFIC designs. Many types of research are going on front end design of RF transceiver. The design of the receiver path has become a challenging aspect, because of increased interferences around the communication path. Operating frequency is higher in RFIC design. This makes the receiver path to experience the internal noises in the system. 156 pp. Englisch.
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Digital Circuit Design using CMOS and ANN Technology with Verilog HDL: Digital Circuit Design using Complementary Metal Oxide Semiconductor and ANN Technology Applicaton with Verilog HDL
Langue: anglais
Edité par LAP LAMBERT Academic Publishing, 2024
ISBN 10 : 6207485254 ISBN 13 : 9786207485253
Vendeur : Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Allemagne
Évaluation du vendeur 4 sur 5 étoiles
EUR 78,45
Expédition à EUR 9,95
Expédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : 4 disponible(s)
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Investigations on Complementary Metal Oxide Semiconductor Topologies
Langue: anglais
Edité par LAP LAMBERT Academic Publishing, 2021
ISBN 10 : 620279965X ISBN 13 : 9786202799652
Vendeur : Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Allemagne
Évaluation du vendeur 4 sur 5 étoiles
EUR 79
Expédition à EUR 9,95
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Investigations on Complementary Metal Oxide Semiconductor Topologies
Langue: anglais
Edité par LAP LAMBERT Academic Publishing, 2021
ISBN 10 : 620279965X ISBN 13 : 9786202799652
EUR 50,66
Expédition à EUR 48,99
Expédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
Ajouter au panierEtat : New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Autor/Autorin: SARMA NIMUSHAKAVI SN MURTIThis manuscript is based on the recent awarded thesis of one of the authors. Dr.Ramana Reddy is an associate Professor in Chatiatanya Bharathi Institute of Technology,Hyderabad. Dr.N.S.Murti sarma and Dr.Ra.
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Investigations on Complementary Metal Oxide Semiconductor Topologies
Langue: anglais
Edité par LAP LAMBERT Academic Publishing Mai 2021, 2021
ISBN 10 : 620279965X ISBN 13 : 9786202799652
Vendeur : buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Allemagne
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 61,90
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Expédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
Ajouter au panierTaschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -The transistor development and its continuous down-scaling have improved during the last few decades the appearance of low-cost wireless communication systems targeting consumer products. The importance of device nonlinearity a new transistor model based on the independent representation of each of the transistor's nonlinear elements is developed with the aim of quantifying the individual contribution of each of the transistors nonlinear elements, to the total distortion.The design of next-generation 4G systems is one of the most active and important of research and development in wireless communication systems. The demand has been increased for low-cost RFIC designs. Many types of research are going on front end design of RF transceiver. The design of the receiver path has become a challenging aspect, because of increased interferences around the communication path. Operating frequency is higher in RFIC design. This makes the receiver path to experience the internal noises in the system.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 156 pp. Englisch.
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Investigations on Complementary Metal Oxide Semiconductor Topologies : support to 4G technologie
Langue: anglais
Edité par LAP LAMBERT Academic Publishing, 2021
ISBN 10 : 620279965X ISBN 13 : 9786202799652
Vendeur : AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Allemagne
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 62,64
Expédition à EUR 61,25
Expédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
Ajouter au panierTaschenbuch. Etat : Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - The transistor development and its continuous down-scaling have improved during the last few decades the appearance of low-cost wireless communication systems targeting consumer products. The importance of device nonlinearity a new transistor model based on the independent representation of each of the transistor's nonlinear elements is developed with the aim of quantifying the individual contribution of each of the transistors nonlinear elements, to the total distortion.The design of next-generation 4G systems is one of the most active and important of research and development in wireless communication systems. The demand has been increased for low-cost RFIC designs. Many types of research are going on front end design of RF transceiver. The design of the receiver path has become a challenging aspect, because of increased interferences around the communication path. Operating frequency is higher in RFIC design. This makes the receiver path to experience the internal noises in the system.
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Complementary Metal Oxide Semiconductor
Vendeur : PBShop.store US, Wood Dale, IL, Etats-Unis
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EUR 141,35
Livraison gratuite
Expédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
Ajouter au panierHRD. Etat : New. New Book. Shipped from UK. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000.
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Complementary Metal Oxide Semiconductor
Vendeur : PBShop.store UK, Fairford, GLOS, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 135,10
Expédition à EUR 6,80
Expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
Ajouter au panierHRD. Etat : New. New Book. Delivered from our UK warehouse in 4 to 14 business days. THIS BOOK IS PRINTED ON DEMAND. Established seller since 2000.
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EUR 100,72
Expédition à EUR 48,99
Expédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
Ajouter au panierGebunden. Etat : New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. KlappentextrnrnIn this book, Complementary Metal Oxide Semiconductor ( CMOS ) devices are extensively discussed. The topics encompass the technology advancement in the fabrication process of metal oxide semiconductor field effect transistors or .
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Complementary Metal Oxide Semiconductor
Vendeur : BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, Allemagne
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 129
Expédition à EUR 23
Expédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : 2 disponible(s)
Ajouter au panierBuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -In this book, Complementary Metal Oxide Semiconductor ( CMOS ) devices are extensively discussed. The topics encompass the technology advancement in the fabrication process of metal oxide semiconductor field effect transistors or MOSFETs (which are the fundamental building blocks of CMOS devices) and the applications of transistors in the present and future eras. The book is intended to provide information on the latest technology development of CMOS to researchers, physicists, as well as engineers working in the field of semiconductor transistor manufacturing and design. 160 pp. Englisch.
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Complementary Metal Oxide Semiconductor
Vendeur : THE SAINT BOOKSTORE, Southport, Royaume-Uni
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EUR 157,60
Expédition à EUR 18,55
Expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
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EUR 104,45
Expédition à EUR 70
Expédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : 5 disponible(s)
Ajouter au panierBuch. Etat : Neu. Complementary Metal Oxide Semiconductor | Kim Ho Yeap (u. a.) | Buch | 160 S. | Englisch | 2018 | IntechOpen | EAN 9781789234961 | Verantwortliche Person für die EU: BoD - Books on Demand, In de Tarpen 42, 22848 Norderstedt, info[at]bod[dot]de | Anbieter: preigu Print on Demand.
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Complementary Metal Oxide Semiconductor
Vendeur : buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Allemagne
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 129
Expédition à EUR 60
Expédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
Ajouter au panierBuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -In this book, Complementary Metal Oxide Semiconductor ( CMOS ) devices are extensively discussed. The topics encompass the technology advancement in the fabrication process of metal oxide semiconductor field effect transistors or MOSFETs (which are the fundamental building blocks of CMOS devices) and the applications of transistors in the present and future eras. The book is intended to provide information on the latest technology development of CMOS to researchers, physicists, as well as engineers working in the field of semiconductor transistor manufacturing and design.Books on Demand GmbH, Überseering 33, 22297 Hamburg 160 pp. Englisch.
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Complementary Metal Oxide Semiconductor
Vendeur : AHA-BUCH GmbH, Einbeck, Allemagne
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 130,55
Expédition à EUR 62,83
Expédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
Ajouter au panierBuch. Etat : Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - In this book, Complementary Metal Oxide Semiconductor ( CMOS ) devices are extensively discussed. The topics encompass the technology advancement in the fabrication process of metal oxide semiconductor field effect transistors or MOSFETs (which are the fundamental building blocks of CMOS devices) and the applications of transistors in the present and future eras. The book is intended to provide information on the latest technology development of CMOS to researchers, physicists, as well as engineers working in the field of semiconductor transistor manufacturing and design.
