Defect complexes semiconductor structures (20 résultats)
- Couverture souple
Vendeur : Antiquariat Bookfarm, Löbnitz, AllemagneAntiquariat Bookfarm
Contacter le vendeurVendeur avec une évaluation de 5 étoilesEtat: Occasion - Assez bon
EUR 53,30
EUR 40,00 expéditionExpédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
Softcover. Etat : Gut. Ex-library in GOOD condition with library-signature and stamp(s). Some traces of use. Ehem. Bibliotheksexemplar mit Signatur und Stempel. GUTER Zustand, ein paar Gebrauchsspuren. C-00465 3540119868 Sprache: Englisch Gewicht in Gramm: 550.
- Couverture souple
Vendeur : Antiquariat Bookfarm, Löbnitz, AllemagneAntiquariat Bookfarm
Contacter le vendeurVendeur avec une évaluation de 5 étoilesEtat: Occasion - Assez bon
EUR 53,70
EUR 40,00 expéditionExpédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
Softcover. Etat : Gut. 311 S. Ehem. Bibliotheksexemplar mit Signatur und Stempel. GUTER Zustand, ein paar Gebrauchsspuren. Ex-library with stamp and library-signature. GOOD condition, some traces of use. 3540119868 Sprache: Englisch Gewicht in Gramm: 550.
Defect Complexes in Semiconductor Structures : Proceedings of the International School Held in Mátrafüred, Hungary, September 13 - 17, 1982
Giber, J. (EDT); Beleznay, F. (EDT); Szep, I. C. (EDT); Laszlo, J. (EDT)
- Couverture souple
Vendeur : GreatBookPrices, Columbia, MD, Etats-UnisGreatBookPrices
Contacter le vendeurVendeur avec une évaluation de 5 étoilesEtat: Occasion - Comme neuf
EUR 120,55
EUR 2,29 expéditionExpédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
Etat : As New. Unread book in perfect condition.
- Couverture souple
Vendeur : Ria Christie Collections, Uxbridge, Royaume-UniRia Christie Collections
Contacter le vendeurVendeur avec une évaluation de 5 étoilesEtat: Neuf
EUR 116,50
EUR 13,99 expéditionExpédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
Etat : New. In.
Defect Complexes in Semiconductor Structures : Proceedings of the International School Held in Mátrafüred, Hungary, September 13 - 17, 1982
Giber, J. (EDT); Beleznay, F. (EDT); Szep, I. C. (EDT); Laszlo, J. (EDT)
- Couverture souple
Vendeur : GreatBookPrices, Columbia, MD, Etats-UnisGreatBookPrices
Contacter le vendeurVendeur avec une évaluation de 5 étoilesEtat: Neuf
EUR 131,99
EUR 2,29 expéditionExpédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
Etat : New.
Defect Complexes in Semiconductor Structures : Proceedings of the International School Held in Mátrafüred, Hungary, September 13 - 17, 1982
Giber, J. (EDT); Beleznay, F. (EDT); Szep, I. C. (EDT); Laszlo, J. (EDT)
- Couverture souple
Vendeur : GreatBookPricesUK, Woodford Green, Royaume-UniGreatBookPricesUK
Contacter le vendeurVendeur avec une évaluation de 5 étoilesEtat: Neuf
EUR 116,49
EUR 17,51 expéditionExpédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
Etat : New.
Defect Complexes in Semiconductor Structures : Proceedings of the International School Held in Mátrafüred, Hungary, September 13 - 17, 1982
Giber, J. (EDT); Beleznay, F. (EDT); Szep, I. C. (EDT); Laszlo, J. (EDT)
- Couverture souple
Vendeur : GreatBookPricesUK, Woodford Green, Royaume-UniGreatBookPricesUK
Contacter le vendeurVendeur avec une évaluation de 5 étoilesEtat: Occasion - Comme neuf
EUR 127,28
EUR 17,51 expéditionExpédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
Etat : As New. Unread book in perfect condition.
- Couverture souple
Vendeur : Books Puddle, New York, NY, Etats-UnisBooks Puddle
Contacter le vendeurVendeur avec une évaluation de 4 étoilesEtat: Neuf
EUR 145,67
EUR 3,46 expéditionExpédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : 4 disponible(s)
Etat : New. pp. 320.
Defect Complexes in Semiconductor Structures: Proceedings of the International School Held in Mátrafuered, Hungary, September 13 17, 1982 (Lecture Notes in Physics)
Giber, J. (Editor) / Beleznay, F. (Editor) / Szep, I. C. (Editor) / Laszlo, J. (Editor)
- Couverture souple
Vendeur : Revaluation Books, Exeter, Royaume-UniRevaluation Books
Contacter le vendeurVendeur avec une évaluation de 5 étoilesEtat: Neuf
EUR 154,73
EUR 14,59 expéditionExpédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : 2 disponible(s)
Paperback. Etat : Brand New. spiral-bound edition. 317 pages. 9.61x6.70x0.73 inches. In Stock.
- Couverture souple
Vendeur : AHA-BUCH GmbH, Einbeck, AllemagneAHA-BUCH GmbH
Contacter le vendeurVendeur avec une évaluation de 5 étoilesEtat: Neuf
EUR 106,99
EUR 62,78 expéditionExpédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
Taschenbuch. Etat : Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - A technologist's view on defects.- Characterization of impurities and defects by electron paramagnetic resonance and related techniques.- Review of the possibilities of electron microscopy in the identification of defect structures.- Electrical and opt…ical measuring techniques for flaw states.- Theory of defect complexes.- Critical comparison of the theoretical models for anomalous large lattice relaxation in III-V compounds.- Vacancy related structure defects in SiO2 - Cyclic cluster calculations compared with experimental results.- A new model for the Si-A center.- Defect complexing in iron-doped silicon.- Photoluminescence of defect complexes in silicon.- Electron microscopical analysis of the stacking fault behaviour in inert-gas annealed Czochralski silicon.- Oxygen precipitation and the generation of secondary defects in oxygen-rich silicon.- Electrical and optical properties of oxygen-related donors in silicon formed at temperatures from 600 to 850 °c.- On the field dependence of capture and emission processes at deep centres.- Lattice matched heterolayers.- Compositional transition layers in heterostructure.- Defect complexes in III-V compounds.- Low frequency current oscillations due to electron retrapping by the AsGa antisite defect in GaAs.- Main electron traps in gaas: Aggregates of antisite defects.- Defect reactions in gap caused by zinc diffusion.- Nonstatistical defect surroundings in mixed crystals - the selfactivated luminescence centre in ZnSxSe1-x.- Structure and properties of the Si-SiO2 interregion.- Radiation defects of the semiconductor-insulator interface.- Analysis of Si/SiO2 interface defects by the method of term spectroscopy.- Theoretical aspects of laser annealing.- Radiation methods for creation of heterostructures on silicon.-Ion beam gettering in GaP.- Panel discussion.- Mechanical stress induced defect creation in GaP.
- Couverture souple
Vendeur : Buchpark, Trebbin, AllemagneBuchpark
Contacter le vendeurVendeur avec une évaluation de 5 étoilesEtat: Occasion - Très bon
EUR 83,44
EUR 105,00 expéditionExpédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
Etat : Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Seiten: 320 | Sprache: Englisch | Produktart: Bücher | Keine Beschreibung verfügbar.
- Couverture souple
Vendeur : Mispah books, Redhill, SURRE, Royaume-UniMispah books
Contacter le vendeurVendeur avec une évaluation de 4 étoilesEtat: Occasion - Assez bon
EUR 182,78
EUR 29,19 expéditionExpédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
Paperback. Etat : Very Good. Dust Jacket may NOT BE INCLUDED.CDs may be missing. SHIPS FROM MULTIPLE LOCATIONS. book.
Defect Complexes in Semiconductor Structures : Proceedings of the International School held in Mátrafüred, Hungary .,.,.
Giber, J. ; Beleznay, F. ; Szép, I. C. ; & László, J. ; editors :
Edité par Springer-Verlag, Berlin / Heidelberg, 1983
- Couverture souple
Vendeur : Expatriate Bookshop of Denmark/John Jackson Books, Svendborg, DanemarkExpatriate Bookshop of Denmark/John Jackson Books
Contacter le vendeurVendeur avec une évaluation de 5 étoilesEtat: Occasion
EUR 52,73
EUR 59,00 expéditionExpédition depuis Danemark vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
orig. wrappers. Etat : Minor wear. VG. 24x16cm, vi,307 pp., Series: Lecture Notes in Physics, 175. Full title reads: "Defect Complexes in Semiconductor Structures : Proceedings of the International School held in Mátrafüred, Hungary September 1317, 1982".
- Couverture souple
- impression à la demande
Vendeur : Basi6 International, Irving, TX, Etats-UnisBasi6 International
Contacter le vendeurVendeur avec une évaluation de 5 étoilesEtat: Neuf
EUR 99,39
Frais de port gratuitsExpédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : 10 disponible(s)
Etat : Brand New. New. US edition. Print on demand title. Delivery takes 20-25 days. Excellent Customer Service.
Langue : anglais
Edité par Springer, Springer Berlin Heidelberg Feb 1983, 1983
- Couverture souple
- impression à la demande
Vendeur : BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, AllemagneBuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.
Contacter le vendeurVendeur avec une évaluation de 5 étoilesEtat: Neuf
EUR 106,99
EUR 23,00 expéditionExpédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : 2 disponible(s)
Taschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -A technologist's view on defects.- Characterization of impurities and defects by electron paramagnetic resonance and related techniques.- Review of the possibilities of electron microscopy in the identification of defect structures.- El…ectrical and optical measuring techniques for flaw states.- Theory of defect complexes.- Critical comparison of the theoretical models for anomalous large lattice relaxation in III-V compounds.- Vacancy related structure defects in SiO2 - Cyclic cluster calculations compared with experimental results.- A new model for the Si-A center.- Defect complexing in iron-doped silicon.- Photoluminescence of defect complexes in silicon.- Electron microscopical analysis of the stacking fault behaviour in inert-gas annealed Czochralski silicon.- Oxygen precipitation and the generation of secondary defects in oxygen-rich silicon.- Electrical and optical properties of oxygen-related donors in silicon formed at temperatures from 600 to 850 °c.- On the field dependence of capture and emission processes at deep centres.- Lattice matched heterolayers.- Compositional transition layers in heterostructure.- Defect complexes in III-V compounds.- Low frequency current oscillations due to electron retrapping by the AsGa antisite defect in GaAs.- Main electron traps in gaas: Aggregates of antisite defects.- Defect reactions in gap caused by zinc diffusion.- Nonstatistical defect surroundings in mixed crystals - the selfactivated luminescence centre in ZnSxSe1-x.- Structure and properties of the Si-SiO2 interregion.- Radiation defects of the semiconductor-insulator interface.- Analysis of Si/SiO2 interface defects by the method of term spectroscopy.- Theoretical aspects of laser annealing.- Radiation methods for creation of heterostructures on silicon.-Ion beam gettering in GaP.- Panel discussion.- Mechanical stress induced defect creation in GaP. 320 pp. Englisch.
- Couverture souple
- impression à la demande
Vendeur : moluna, Greven, Allemagnemoluna
Contacter le vendeurVendeur avec une évaluation de 5 étoilesEtat: Neuf
EUR 92,27
EUR 48,99 expéditionExpédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
Etat : New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. A technologist s view on defects.- Characterization of impurities and defects by electron paramagnetic resonance and related techniques.- Review of the possibilities of electron microscopy in the identification of defect…structures.- Electrical and optical .
- Couverture souple
- impression à la demande
Vendeur : Majestic Books, Hounslow, Royaume-UniMajestic Books
Contacter le vendeurVendeur avec une évaluation de 4 étoilesEtat: Neuf
EUR 150,02
EUR 7,59 expéditionExpédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : 4 disponible(s)
Etat : New. Print on Demand pp. 320 67:B&W 6.69 x 9.61 in or 244 x 170 mm (Pinched Crown) Perfect Bound on White w/Gloss Lam.
- Couverture souple
- impression à la demande
Vendeur : Biblios, frankfurt am main, HESSE, AllemagneBiblios
Contacter le vendeurVendeur avec une évaluation de 4 étoilesEtat: Neuf
EUR 152,97
EUR 9,95 expéditionExpédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : 4 disponible(s)
Etat : New. PRINT ON DEMAND pp. 320.
Autres images- Couverture souple
- impression à la demande
Vendeur : preigu, Osnabrück, Allemagnepreigu
Contacter le vendeurVendeur avec une évaluation de 5 étoilesEtat: Neuf
EUR 95,70
EUR 70,00 expéditionExpédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : 5 disponible(s)
Taschenbuch. Etat : Neu. Defect Complexes in Semiconductor Structures | Proceedings of the International School Held in Mátrafüred, Hungary, September 13 - 17, 1982 | J. Giber (u. a.) | Taschenbuch | vi | Englisch | 1983 | Springer | EAN 9783540119869 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH, Tiergartenstr. 17,…69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu Print on Demand.
- Couverture souple
- impression à la demande
Vendeur : buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Allemagnebuchversandmimpf2000
Contacter le vendeurVendeur avec une évaluation de 5 étoilesEtat: Neuf
EUR 106,99
EUR 60,00 expéditionExpédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
Taschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -A technologist's view on defects.- Characterization of impurities and defects by electron paramagnetic resonance and related techniques.- Review of the possibilities of electron microscopy in the identification of defect structures.- Electr…ical and optical measuring techniques for flaw states.- Theory of defect complexes.- Critical comparison of the theoretical models for anomalous large lattice relaxation in III-V compounds.- Vacancy related structure defects in SiO2 - Cyclic cluster calculations compared with experimental results.- A new model for the Si-A center.- Defect complexing in iron-doped silicon.- Photoluminescence of defect complexes in silicon.- Electron microscopical analysis of the stacking fault behaviour in inert-gas annealed Czochralski silicon.- Oxygen precipitation and the generation of secondary defects in oxygen-rich silicon.- Electrical and optical properties of oxygen-related donors in silicon formed at temperatures from 600 to 850 °c.- On the field dependence of capture and emission processes at deep centres.- Lattice matched heterolayers.- Compositional transition layers in heterostructure.- Defect complexes in III-V compounds.- Low frequency current oscillations due to electron retrapping by the AsGa antisite defect in GaAs.- Main electron traps in gaas: Aggregates of antisite defects.- Defect reactions in gap caused by zinc diffusion.- Nonstatistical defect surroundings in mixed crystals - the selfactivated luminescence centre in ZnSxSe1-x.- Structure and properties of the Si-SiO2 interregion.- Radiation defects of the semiconductor-insulator interface.- Analysis of Si/SiO2 interface defects by the method of term spectroscopy.- Theoretical aspects of laser annealing.- Radiation methods for creation of heterostructures on silicon.-Ion beam gettering in GaP.- Panel discussion.- Mechanical stress induced defect creation in GaP.Springer-Verlag KG, Sachsenplatz 4-6, 1201 Wien 320 pp. Englisch.
