Modelling basic parameters non conventional par swapnadip (8 résultats)
- Couverture souple
Vendeur : Books Puddle, New York, NY, Etats-UnisBooks Puddle
Contacter le vendeurVendeur avec une évaluation de 4 étoilesEtat: Neuf
EUR 56,40
EUR 3,43 expéditionExpédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : 4 disponible(s)
Etat : New.
- Couverture souple
Vendeur : preigu, Osnabrück, Allemagnepreigu
Contacter le vendeurVendeur avec une évaluation de 5 étoilesEtat: Neuf
EUR 39,45
EUR 70,00 expéditionExpédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : 5 disponible(s)
Taschenbuch. Etat : Neu. Modelling of basic parameters for non-conventional MOSFETs | Swapnadip De | Taschenbuch | Englisch | 2023 | LAP LAMBERT Academic Publishing | EAN 9786206739814 | Verantwortliche Person für die EU: preigu GmbH & Co. KG, Lengericher Landstr. 19, 49078 Osnabrück, mail[at]preigu[dot]de | Anbieter: preigu.
- Couverture souple
- impression à la demande
Vendeur : Majestic Books, Hounslow, Royaume-UniMajestic Books
Contacter le vendeurVendeur avec une évaluation de 4 étoilesEtat: Neuf
EUR 54,92
EUR 7,58 expéditionExpédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : 4 disponible(s)
Etat : New. Print on Demand.
- Couverture souple
- impression à la demande
Vendeur : BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, AllemagneBuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.
Contacter le vendeurVendeur avec une évaluation de 5 étoilesEtat: Neuf
EUR 43,90
EUR 23,00 expéditionExpédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : 2 disponible(s)
Taschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -In this book, the channel engineering and the gate engineering techniques are combined to form novel device structures proposed as Single-halo Dual Material Gate(SHDMG) and Double-halo Dual Material gate(DHDMG) MOSFETs. Advanced MOSFETs… are non-uniformly doped as a result of complex process flow. Therefore, one of the key factors to model the characteristic parameters accurately is to model its non uniform doping profile. The book also presents an analytical sub threshold surface potential, threshold voltage, drift-diffusion theory based drain current and transconductance model for linear and Gaussian profile based SHDMG and DHDMG n-MOSFETs operating up to 40nm regime. A quasi-Fermi potential based analytical sub threshold drain current model for linear as well as Gaussian profile based SHDMG and DHDMG MOS transistor, incorporating the fringing fields at the two ends of the device is also proposed. 64 pp. Englisch.
- Couverture souple
- impression à la demande
Vendeur : Biblios, frankfurt am main, HESSE, AllemagneBiblios
Contacter le vendeurVendeur avec une évaluation de 4 étoilesEtat: Neuf
EUR 56,96
EUR 9,95 expéditionExpédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : 4 disponible(s)
Etat : New. PRINT ON DEMAND.
- Couverture souple
- impression à la demande
Vendeur : moluna, Greven, Allemagnemoluna
Contacter le vendeurVendeur avec une évaluation de 5 étoilesEtat: Neuf
EUR 37,23
EUR 48,99 expéditionExpédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
Etat : New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. In this book, the channel engineering and the gate engineering techniques are combined to form novel device structures proposed as Single-halo Dual Material Gate(SHDMG) and Double-halo Dual Material gate(DHDMG) MOSFETs. A…dvanced MOSFETs are non-uniformly do.
- Couverture souple
- impression à la demande
Vendeur : buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Allemagnebuchversandmimpf2000
Contacter le vendeurVendeur avec une évaluation de 5 étoilesEtat: Neuf
EUR 43,90
EUR 60,00 expéditionExpédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
Taschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -In this book, the channel engineering and the gate engineering techniques are combined to form novel device structures proposed as Single-halo Dual Material Gate(SHDMG) and Double-halo Dual Material gate(DHDMG) MOSFETs. Advanced MOSFETs are… non-uniformly doped as a result of complex process flow. Therefore, one of the key factors to model the characteristic parameters accurately is to model its non uniform doping profile. The book also presents an analytical sub threshold surface potential, threshold voltage, drift-diffusion theory based drain current and transconductance model for linear and Gaussian profile based SHDMG and DHDMG n-MOSFETs operating up to 40nm regime. A quasi-Fermi potential based analytical sub threshold drain current model for linear as well as Gaussian profile based SHDMG and DHDMG MOS transistor, incorporating the fringing fields at the two ends of the device is also proposed.VDM Verlag, Dudweiler Landstraße 99, 66123 Saarbrücken 64 pp. Englisch.
- Couverture souple
- impression à la demande
Vendeur : AHA-BUCH GmbH, Einbeck, AllemagneAHA-BUCH GmbH
Contacter le vendeurVendeur avec une évaluation de 5 étoilesEtat: Neuf
EUR 44,59
EUR 60,57 expéditionExpédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
Taschenbuch. Etat : Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - In this book, the channel engineering and the gate engineering techniques are combined to form novel device structures proposed as Single-halo Dual Material Gate(SHDMG) and Double-halo Dual Material gate(DHDMG) MOSFETs. Advanced MOSFETs are…non-uniformly doped as a result of complex process flow. Therefore, one of the key factors to model the characteristic parameters accurately is to model its non uniform doping profile. The book also presents an analytical sub threshold surface potential, threshold voltage, drift-diffusion theory based drain current and transconductance model for linear and Gaussian profile based SHDMG and DHDMG n-MOSFETs operating up to 40nm regime. A quasi-Fermi potential based analytical sub threshold drain current model for linear as well as Gaussian profile based SHDMG and DHDMG MOS transistor, incorporating the fringing fields at the two ends of the device is also proposed.
