Three dimensional simulation semiconductor devices (19 résultats)
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Paperback or Softback. Etat : New. Three-Dimensional Simulation of Semiconductor Devices. Book.
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Paperback. Etat : Very Good. Three-Dimensional Simulation of Semiconductor Devices (Progress in Numerical Simulation for Microelectronics) This book is in very good condition and will be shipped within 24 hours of ordering. The cover may have some limited signs of wear but the pages are clean, intact and the spine remains undama…ged. This book has clearly been well maintained and looked after thus far. Money back guarantee if you are not satisfied. See all our books here, order more than 1 book and get discounted shipping. .
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Vendeur : Bahamut Media, Reading, Royaume-UniBahamut Media
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Paperback. Etat : Very Good. Shipped within 24 hours from our UK warehouse. Clean, undamaged book with no damage to pages and minimal wear to the cover. Spine still tight, in very good condition. Remember if you are not happy, you are covered by our 100% money back guarantee.
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Paperback. Etat : Brand New. reprint edition. 124 pages. German language. 9.02x5.99x0.40 inches. In Stock.
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Vendeur : GreatBookPricesUK, Woodford Green, Royaume-UniGreatBookPricesUK
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Etat : New. In.
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Vendeur : Chiron Media, Wallingford, Royaume-UniChiron Media
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PF. Etat : New.
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Vendeur : GreatBookPricesUK, Woodford Green, Royaume-UniGreatBookPricesUK
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EUR 17,71 expéditionExpédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
Etat : New.
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Vendeur : Books Puddle, New York, NY, Etats-UnisBooks Puddle
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Etat : New. pp. 132.
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Taschenbuch. Etat : Neu. Druck auf Anfrage Neuware - Printed after ordering - The three-dimensional device simulation has become a necessary tool for the design and investigation of complex device structures. The evolution of the three-dimensional simulation tools is directly linked to the scaling of the devices and the increasi…ng complex ity of dynamic random access memory (DRAM) cells. Scaling of MOSFET devices led to a three-dimensional geometry with effects which cannot be handled by two-dimensional simulations anymore. With increasing integration density in DRAMs the third dimen sion had to be utilized to realize the storage capacitor. The result ing leakage problems have to be investigated and the cell design optimized by means of three-dimensional simulations. This book is intended for senior undergraduate students in applied physics, electrical engineering and computational physics, as well as for scientists and engineers involved in semiconductor device re search and development. It is also intended for software engineers and all those who are concerned with simulation. The book will give an overview on the problems and activities con cerning three-dimensional device simulation, without the claim of being a classical textbook. It starts from the classical semiconduc tor equations, discusses the physical models used in device simu lation, describes the discretization and some numerical methods for solving the differential equations. The application of the three dimensional simulation to VLSI device engineering is illustrated by a few specific examples.
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Vendeur : Buchpark, Trebbin, AllemagneBuchpark
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Etat : Sehr gut. Zustand: Sehr gut | Sprache: Deutsch | Produktart: Bücher | Keine Beschreibung verfügbar.
Langue : allemand
Edité par Springer, Basel, Birkhäuser Basel, Birkhäuser Dez 2012, 2012
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Vendeur : BuchWeltWeit Ludwig Meier e.K., Bergisch Gladbach, AllemagneBuchWeltWeit Ludwig Meier e.K.
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Taschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - it takes 3-4 days longer - Neuware -The three-dimensional device simulation has become a necessary tool for the design and investigation of complex device structures. The evolution of the three-dimensional simulation tools is directly linked to the scaling of the devices…and the increasing complex ity of dynamic random access memory (DRAM) cells. Scaling of MOSFET devices led to a three-dimensional geometry with effects which cannot be handled by two-dimensional simulations anymore. With increasing integration density in DRAMs the third dimen sion had to be utilized to realize the storage capacitor. The result ing leakage problems have to be investigated and the cell design optimized by means of three-dimensional simulations. This book is intended for senior undergraduate students in applied physics, electrical engineering and computational physics, as well as for scientists and engineers involved in semiconductor device re search and development. It is also intended for software engineers and all those who are concerned with simulation. The book will give an overview on the problems and activities con cerning three-dimensional device simulation, without the claim of being a classical textbook. It starts from the classical semiconduc tor equations, discusses the physical models used in device simu lation, describes the discretization and some numerical methods for solving the differential equations. The application of the three dimensional simulation to VLSI device engineering is illustrated by a few specific examples. 124 pp. Deutsch.
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Vendeur : Majestic Books, Hounslow, Royaume-UniMajestic Books
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Etat : New. Print on Demand pp. 132.
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Etat : New. PRINT ON DEMAND pp. 132.
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Etat : New. Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. 1 Introduction.- 2 Basic Physical Models.- 3 Discretization.- 4 Numerical Solution.- 5 Examples.The three-dimensional device simulation has become a necessary tool for the design and investigation of complex device struct…ures. The evolution of the t.
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Vendeur : buchversandmimpf2000, Emtmannsberg, BAYE, Allemagnebuchversandmimpf2000
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EUR 60,00 expéditionExpédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
Taschenbuch. Etat : Neu. This item is printed on demand - Print on Demand Titel. Neuware -1 Introduction.- 2 Basic Physical Models.- 3 Discretization.- 4 Numerical Solution.- 5 Examples.Springer Nature c/o IBS, Benzstrasse 21, 48619 Heek 132 pp. Deutsch.
