Based high dielectrics process (12 résultats)
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EUR 3,52 expéditionExpédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
Soft Cover. Etat : Acceptable. Ex-library with the usual features. Library label on front cover. The interior is clean and tight. Several pages have corner bent. Binding is good. Cover shows light edge wear and has one corner bent. Ex-Library.
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EUR 2,32 expéditionExpédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
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Vendeur : Books Puddle, New York, NY, Etats-UnisBooks Puddle
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EUR 3,51 expéditionExpédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : 4 disponible(s)
Etat : New. 1st edition NO-PA16APR2015-KAP.
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Vendeur : Ria Christie Collections, Uxbridge, Royaume-UniRia Christie Collections
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EUR 14,03 expéditionExpédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
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Vendeur : GreatBookPricesUK, Woodford Green, Royaume-UniGreatBookPricesUK
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EUR 17,56 expéditionExpédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
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Vendeur : GreatBookPricesUK, Woodford Green, Royaume-UniGreatBookPricesUK
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EUR 38,45
EUR 17,56 expéditionExpédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
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Vendeur : The Book Spot, Sioux Falls, MN, Etats-UnisThe Book Spot
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Frais de port gratuitsExpédition nationale : Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
Paperback. Etat : New.
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Vendeur : preigu, Osnabrück, Allemagnepreigu
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Taschenbuch. Etat : Neu. Hf-Based High-k Dielectrics | Process Development, Performance Characterization, and Reliability | Young-Hee Kim (u. a.) | Taschenbuch | Synthesis Lectures on Solid State Materials and Devices | x | Englisch | 2007 | Springer | EAN 9783031014246 | Verantwortliche Person für die EU: Springer Verlag GmbH,…Tiergartenstr. 17, 69121 Heidelberg, juergen[dot]hartmann[at]springer[dot]com | Anbieter: preigu.
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Vendeur : Biblios, frankfurt am main, HESSE, AllemagneBiblios
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EUR 9,95 expéditionExpédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : 4 disponible(s)
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EUR 61,06 expéditionExpédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
Taschenbuch. Etat : Neu. nach der Bestellung gedruckt Neuware - Printed after ordering - In this work, the reliability of HfO2 (hafnium oxide) with poly gate and dual metal gate electrode (Ru-Ta alloy, Ru) was investigated. Hard breakdown and soft breakdown, particularly the Weibull slopes, were studied under constant voltage st…ress. Dynamic stressing has also been used. It was found that the combination of trapping and detrapping contributed to the enhancement of the projected lifetime. The results from the polarity dependence studies showed that the substrate injection exhibited a shorter projected lifetime and worse soft breakdown behavior, compared to the gate injection. The origin of soft breakdown (first breakdown) was studied and the results suggested that the soft breakdown may be due to one layer breakdown in the bilayer structure (HfO2/SiO2: 4 nm/4 nm). Low Weibull slope was in part attributed to the lower barrier height of HfO2 at the interface layer. Interface layer optimization was conducted in terms of mobility, swing, and short channel effect using deep submicron MOSFET devices.
