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kumar vishvakarma santosh (65 résultats)
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VLSI Design and Test. 23rd International Symposium, VDAT 2019, Indore, India, July 4-6, 2019. Revised Selected Papers.
Vendeur : Universitätsbuchhandlung Herta Hold GmbH, Berlin, Allemagne
Membre d'association : GIAQ ILAB VDA
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 18
Autre deviseEUR 30 expédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
Ajouter au panierXVI, 775 p. Softcover. Versand aus Deutschland / We dispatch from Germany via Air Mail. Einband bestoßen, daher Mängelexemplar gestempelt, sonst sehr guter Zustand. Imperfect copy due to slightly bumped cover, apart from this in very good condition. Stamped. Communications in Computer Information Science, 1066. Sprache: Englisch.
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Advanced MOS Devices and their Circuit Applications
Vendeur : Books From California, Simi Valley, CA, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 63,49
Autre deviseEUR 4,28 expédition vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
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Advanced MOS Devices and their Circuit Applications (Paperback)
Edité par Taylor & Francis Ltd, London, 2025
ISBN 10 : 1032670266 ISBN 13 : 9781032670263
Langue: anglais
Vendeur : Grand Eagle Retail, Bensenville, IL, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 72,51
Autre deviseGratuit expédition vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
Ajouter au panierPaperback. Etat : new. Paperback. This text comprehensively discusses the advanced MOS devices and their circuit applications with reliability concerns. Further, an energy-efficient Tunnel FET-based circuit application will be investigated in terms of the output voltage, power efficiency, energy consumption, and performances using the device circuit co-design approach.The book:Discusses advanced MOS devices and their circuit design for energy- efficient systems on chips (SoCs)Covers MOS devices, materials, and related semiconductor transistor technologies for the next-generation ultra-low-power applicationsExamines the use of field-effect transistors for biosensing circuit applications and covers reliability design considerations and compact modeling of advanced low-power MOS transistorsIncludes research problem statements with specifications and commercially available industry data in the appendixPresents Verilog-A model-based simulations for circuit analysisThe volume provides detailed discussions of DC and analog/RF characteristics, effects of trap-assisted tunneling (TAT) for reliability analysis, spacer-underlap engineering methodology, doping profile analysis, and work-function techniques. It further covers novel MOS devices including FinFET, Graphene field-effect transistor, Tunnel FETS, and Flash memory devices. It will serve as an ideal design book for senior undergraduate students, graduate students, and academic researchers in the fields including electrical engineering, electronics and communication engineering, computer engineering, materials science, nanoscience, and nanotechnology. The text comprehensively discusses the advanced MOS devices and their circuit applications with reliability concerns. Further, an energy-efficient Tunnel FET-based circuit application will investigate in terms of the output voltage, power efficiency, energy consumption, and performances using the device circuit co-design approach. Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability.
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Advanced MOS Devices and their Circuit Applications
Vendeur : California Books, Miami, FL, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 72,52
Autre deviseGratuit expédition vers Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
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Energy Efficient and Reliable Embedded Nanoscale SRAM Design
Vendeur : California Books, Miami, FL, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 72,52
Autre deviseGratuit expédition vers Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
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Advanced Mos Devices and Their Circuit Applications
Vendeur : Majestic Books, Hounslow, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 66,95
Autre deviseEUR 7,48 expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : 3 disponible(s)
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Energy Efficient and Reliable Embedded Nanoscale SRAM Design
Vendeur : Majestic Books, Hounslow, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 67,46
Autre deviseEUR 7,48 expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : 3 disponible(s)
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Advanced Mos Devices and Their Circuit Applications
Vendeur : Books Puddle, New York, NY, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 4 sur 5 étoiles
EUR 80,84
Autre deviseEUR 3,43 expédition vers Etats-UnisQuantité disponible : 3 disponible(s)
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Energy Efficient and Reliable Embedded Nanoscale SRAM Design
Vendeur : Ria Christie Collections, Uxbridge, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 71,58
Autre deviseEUR 13,79 expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
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Energy Efficient and Reliable Embedded Nanoscale SRAM Design
Vendeur : Books Puddle, New York, NY, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 4 sur 5 étoiles
EUR 83,53
Autre deviseEUR 3,43 expédition vers Etats-UnisQuantité disponible : 3 disponible(s)
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Advanced MOS Devices and their Circuit Applications
Vendeur : THE SAINT BOOKSTORE, Southport, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 71,79
Autre deviseEUR 15,83 expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
Ajouter au panierPaperback / softback. Etat : New. New copy - Usually dispatched within 4 working days. 300.
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Advanced Mos Devices and Their Circuit Applications
Vendeur : Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Allemagne
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 76,79
Autre deviseEUR 9,95 expédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : 3 disponible(s)
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Energy Efficient and Reliable Embedded Nanoscale SRAM Design
Vendeur : Biblios, Frankfurt am main, HESSE, Allemagne
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 78,03
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Vlsi Design and Test : 23rd International Symposium, Vdat 2019, Indore, India, July 4?6, 2019, Revised Selected Papers
Vendeur : GreatBookPrices, Columbia, MD, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 111,09
Autre deviseEUR 2,27 expédition vers Etats-UnisQuantité disponible : 15 disponible(s)
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VLSI Design and Test (Paperback)
Edité par Springer Verlag, Singapore, Singapore, 2019
ISBN 10 : 9813297662 ISBN 13 : 9789813297661
Langue: anglais
Vendeur : Grand Eagle Retail, Bensenville, IL, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 113,44
Autre deviseGratuit expédition vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
Ajouter au panierPaperback. Etat : new. Paperback. This book constitutes the refereed proceedings of the 23st International Symposium on VLSI Design and Test, VDAT 2019, held in Indore, India, in July 2019. The 63 full papers were carefully reviewed and selected from 199 submissions. The papers are organized in topical sections named: analog and mixed signal design; computing architecture and security; hardware design and optimization; low power VLSI and memory design; device modelling; and hardware implementation. This book constitutes the refereed proceedings of the 23st International Symposium on VLSI Design and Test, VDAT 2019, held in Indore, India, in July 2019. The 63 full papers were carefully reviewed and selected from 199 submissions. The papers are organized in topical sections named: analog and mixed signal design; Shipping may be from multiple locations in the US or from the UK, depending on stock availability.
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VLSI Design and Test: 23rd International Symposium, VDAT 2019, Indore, India, July 4-6, 2019, Revised Selected Papers (Communications in Computer and Information Science, 1066)
Vendeur : Lucky's Textbooks, Dallas, TX, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 112,99
Autre deviseEUR 3,43 expédition vers Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
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Advanced Mos Devices and Their Circuit Applications
Vendeur : GreatBookPrices, Columbia, MD, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 115,86
Autre deviseEUR 2,27 expédition vers Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
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Energy Efficient and Reliable Embedded Nanoscale SRAM Design
Vendeur : ALLBOOKS1, Direk, SA, Australie
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 121,22
Autre deviseGratuit expédition depuis Australie vers Etats-UnisQuantité disponible : 3 disponible(s)
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Advanced Mos Devices and Their Circuit Applications
Vendeur : Revaluation Books, Exeter, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 92,58
Autre deviseEUR 28,77 expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : 2 disponible(s)
Ajouter au panierPaperback. Etat : Brand New. 160 pages. 9.18x6.12x9.21 inches. In Stock.
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Energy Efficient and Reliable Embedded Nanoscale Sram Design
Vendeur : Revaluation Books, Exeter, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 93,52
Autre deviseEUR 28,77 expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : 2 disponible(s)
Ajouter au panierPaperback. Etat : Brand New. 220 pages. 9.18x6.12x9.21 inches. In Stock.
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Advanced MOS Devices and their Circuit Applications (Paperback)
Edité par Taylor & Francis Ltd, London, 2025
ISBN 10 : 1032670266 ISBN 13 : 9781032670263
Langue: anglais
Vendeur : CitiRetail, Stevenage, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 79,41
Autre deviseEUR 42,58 expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
Ajouter au panierPaperback. Etat : new. Paperback. This text comprehensively discusses the advanced MOS devices and their circuit applications with reliability concerns. Further, an energy-efficient Tunnel FET-based circuit application will be investigated in terms of the output voltage, power efficiency, energy consumption, and performances using the device circuit co-design approach.The book:Discusses advanced MOS devices and their circuit design for energy- efficient systems on chips (SoCs)Covers MOS devices, materials, and related semiconductor transistor technologies for the next-generation ultra-low-power applicationsExamines the use of field-effect transistors for biosensing circuit applications and covers reliability design considerations and compact modeling of advanced low-power MOS transistorsIncludes research problem statements with specifications and commercially available industry data in the appendixPresents Verilog-A model-based simulations for circuit analysisThe volume provides detailed discussions of DC and analog/RF characteristics, effects of trap-assisted tunneling (TAT) for reliability analysis, spacer-underlap engineering methodology, doping profile analysis, and work-function techniques. It further covers novel MOS devices including FinFET, Graphene field-effect transistor, Tunnel FETS, and Flash memory devices. It will serve as an ideal design book for senior undergraduate students, graduate students, and academic researchers in the fields including electrical engineering, electronics and communication engineering, computer engineering, materials science, nanoscience, and nanotechnology. The text comprehensively discusses the advanced MOS devices and their circuit applications with reliability concerns. Further, an energy-efficient Tunnel FET-based circuit application will investigate in terms of the output voltage, power efficiency, energy consumption, and performances using the device circuit co-design approach. Shipping may be from our UK warehouse or from our Australian or US warehouses, depending on stock availability.
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VLSI Design and Test : 23rd International Symposium, VDAT 2019, Indore, India, July 4¿6, 2019, Revised Selected Papers
Edité par Springer Nature Singapore, 2019
ISBN 10 : 9813297662 ISBN 13 : 9789813297661
Langue: anglais
EUR 15,31
Autre deviseEUR 105 expédition depuis Allemagne vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
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VLSI Design and Test: 23rd International Symposium, VDAT 2019, Indore, India, July 4-6, 2019, Revised Selected Papers (Communications in Computer and Information Science, 1066)
Vendeur : Ria Christie Collections, Uxbridge, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 111,58
Autre deviseEUR 13,79 expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
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VLSI Design and Test : 23rd International Symposium, VDAT 2019, Indore, India, July 4-6, 2019, Revised Selected Papers
Vendeur : Chiron Media, Wallingford, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 4 sur 5 étoiles
EUR 112,91
Autre deviseEUR 17,83 expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : 10 disponible(s)
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Vlsi Design and Test : 23rd International Symposium, Vdat 2019, Indore, India, July 4?6, 2019, Revised Selected Papers
Vendeur : GreatBookPrices, Columbia, MD, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 133,24
Autre deviseEUR 2,27 expédition vers Etats-UnisQuantité disponible : 15 disponible(s)
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VLSI Design and Test: 23rd International Symposium, VDAT 2019, Indore, India, July 4-6, 2019, Revised Selected Papers (Communications in Computer and Information Science, 1066)
Vendeur : California Books, Miami, FL, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 137,97
Autre deviseGratuit expédition vers Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
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Advanced Mos Devices and Their Circuit Applications
Vendeur : GreatBookPrices, Columbia, MD, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 135,65
Autre deviseEUR 2,27 expédition vers Etats-UnisQuantité disponible : Plus de 20 disponibles
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Advanced MOS Devices and their Circuit Applications
Vendeur : Majestic Books, Hounslow, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 130,34
Autre deviseEUR 7,48 expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : 3 disponible(s)
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Advanced MOS Devices and their Circuit Applications
Vendeur : THE SAINT BOOKSTORE, Southport, Royaume-Uni
Évaluation du vendeur 5 sur 5 étoiles
EUR 123,19
Autre deviseEUR 17,67 expédition depuis Royaume-Uni vers Etats-UnisQuantité disponible : 1 disponible(s)
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Advanced MOS Devices and their Circuit Applications
Vendeur : Books Puddle, New York, NY, Etats-Unis
Évaluation du vendeur 4 sur 5 étoiles
EUR 137,74
Autre deviseEUR 3,43 expédition vers Etats-UnisQuantité disponible : 3 disponible(s)
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